[发明专利]化学气相沉积设备保养后复机方法

权利要求书

1.一种化学气相沉积设备保养后复机方法，包括：

步骤一：将虚拟晶圆放入所述化学气相沉积设备的反应腔中；

步骤二：对所述虚拟晶圆淀积一硅层；

步骤三：对所述虚拟晶圆淀积一锗化硅层。

2.如权利要求1所述的化学气相沉积设备保养后复机方法，其特征在于，在所述步骤一之前，还包括：更换所述化学气相沉积设备的石英部件。

3.如权利要求1所述的化学气相沉积设备保养后复机方法，其特征在于，在所述步骤一之前，还包括：清洗所述化学气相沉积设备的碳化硅部件以及金属部件。

4.如权利要求1所述的化学气相沉积设备保养后复机方法，其特征在于，在所述步骤三之后，还包括：对所述虚拟晶圆淀积一锗层。

5.如权利要求4所述的化学气相沉积设备保养后复机方法，其特征在于，在所述对所述虚拟晶圆淀积一锗层的步骤中，所述化学气相沉积设备的反应腔的温度变化小于等于100℃。

6.如权利要求4所述的化学气相沉积设备保养后复机方法，其特征在于，在所述对所述虚拟晶圆淀积一锗层的步骤中，对所述虚拟晶圆淀积所述锗层的程式与对产品晶圆淀积锗的程式相同。

7.如权利要求4所述的化学气相沉积设备保养后复机方法，其特征在于，所述锗层的厚度为2μm～5μm。

8.如权利要求1-7中任意一项所述的化学气相沉积设备保养后复机方法，其特征在于，在所述步骤二中，所述化学气相沉积设备的反应腔的温度变化小于等于100℃。

9.如权利要求1-7中任意一项所述的化学气相沉积设备保养后复机方法，其特征在于，在所述步骤二中，对所述虚拟晶圆淀积所述硅层的程式与对产品晶圆淀积硅薄膜的程式相同。

10.如权利要求1-7中任意一项所述的化学气相沉积设备保养后复机方法，其特征在于，所述硅层的厚度为0.2μm～1μm。

11.如权利要求1-7中任意一项所述的化学气相沉积设备保养后复机方法，其特征在于，在所述步骤三中，所述化学气相沉积设备的反应腔的温度变化小于等于100℃。

12.如权利要求1-7中任意一项所述的化学气相沉积设备保养后复机方法，其特征在于，在所述步骤三中，对所述虚拟晶圆淀积所述锗化硅层的程式与对产品晶圆淀积锗化硅薄膜的程式相同。

13.如权利要求1-7中任意一项所述的化学气相沉积设备保养后复机方法，其特征在于，所述锗化硅层的厚度为5μm～30μm。