[发明专利]具有环绕封装通孔端部的开口的管芯封装件及层叠封装件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体管芯；

介电材料，邻近所述半导体管芯；以及

封装通孔(TPV)，设置在所述介电材料中，所述介电材料中的开口环绕所述封装通孔的端部以暴露所述端部，并且所述开口的至少一部分位于所述封装通孔的端部和介电材料之间，

其中，所述介电材料包括模塑料层和位于所述模塑料层上方的钝化层，并且所述钝化层和所述模塑料层环绕所述封装通孔的端部。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述封装通孔的端部在所述开口的底部之上延伸的距离为1μm至70μm。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述封装通孔的端部包括喷镀晶种层和导电层，并且所述喷镀晶种层覆盖所述导电层的端面。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述封装通孔的端部包括喷镀晶种层和导电层，并且所述喷镀晶种层仅覆盖所述导电层的端面的一部分。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述开口的深度为2μm至100μm。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述开口具有圆角表面轮廓。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述开口具有成角度的表面轮廓。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述成角度的表面轮廓具有90度的角度。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述开口包括与所述封装通孔的线性侧壁相交的所述介电材料的线性侧壁。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述介电材料的线性侧壁和垂直于所述封装通孔的线性侧壁的线之间的角度为10度至85度。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述钝化层环绕所述开口的侧壁的表面与所述模塑料层的侧壁的表面是连续的。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述开口的侧壁与所述封装通孔的端部的侧壁平行。

13.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述介电材料包括位于第二介电层上方的第一介电层，所述开口延伸穿过所述第一介电层并延伸至所述第二介电层中，所述第二介电层的顶面在开口中形成平台。

14.一种半导体器件，包括：

半导体管芯；

介电层，邻近所述半导体管芯；

一个或多个封装通孔(TPV)，设置在所述介电层中，所述一个或多个封装通孔从所述介电层的第一面延伸到所述介电层的第二面；以及

凹槽，位于所述介电层中且环绕对应的所述一个或多个封装通孔的端部，所述凹槽暴露所述一个或多个封装通孔的对应端部的侧壁的至少一部分，

其中，所述介电层包括模塑料层和位于所述模塑料层上方的钝化层，并且所述钝化层和所述模塑料层环绕所述封装通孔的端部。

15.一种半导体器件，包括：

第一管芯封装件，所述第一管芯封装件包括：

第一半导体管芯；

位于所述第一半导体管芯相对面上的介电材料；和

位于所述介电材料中的通孔(TV)，所述介电材料中的开口环绕所述通孔的端部以暴露所述端部；以及

第二管芯封装件，所述第二管芯封装件包括：

第二半导体管芯；和

外部连接件；

其中，所述第二管芯封装件的所述外部连接件使用焊料接合至所述第一管芯封装件的所述通孔的端部以形成接合结构，所述焊料至少部分地位于所述开口内，

其中，所述介电材料包括模塑料层和位于所述模塑料层上方的钝化层，并且所述钝化层和所述模塑料层环绕所述通孔的端部。

16.根据权利要求15所述的半导体器件，进一步包括：在所述外部连接件和所述通孔的端部之间所形成的金属间化合物(IMC)层，其中，所述金属间化合物层覆盖所述通孔的端部。

17.根据权利要求16所述的半导体器件，其中，所述通孔的端部从所述开口的底部伸出的距离为1μm至70μm。

18.根据权利要求15所述的半导体器件，进一步包括：介于所述第一管芯封装件和所述第二管芯封装件之间的聚合物层，所述焊料的至少一部分嵌入所述聚合物层中。

19.根据权利要求15所述的半导体器件，进一步包括：介于所述第一管芯封装件和所述第二管芯封装件之间的底部填充物，所述底部填充物部分地填充所述开口。