[发明专利]一种ZP45高Bs软磁铁氧体材料及其生产方法有效

专利信息
申请号: 201310259801.5 申请日: 2013-06-26
公开(公告)号: CN103360046A 公开(公告)日: 2013-10-23
发明(设计)人: 李前军;沈建元;王晓祥;陆明兵;徐升宝;蒲成刚;蔡春桥;张恩明;屠德义 申请(专利权)人: 天长市中德电子有限公司
主分类号: C04B35/38 分类号: C04B35/38;C04B35/626;H01F1/34
代理公司: 合肥市长远专利代理事务所(普通合伙) 34119 代理人: 刘勇
地址: 239300 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 zp45 bs 磁铁 材料 及其 生产 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及软磁铁氧体材料技术领域,尤其涉及一种ZP45高Bs软磁铁氧体材料及其生产方法。

背景技术

软磁材料在工业中的应用始于十九世纪末,是伴随着电力电工及电讯技术的兴起而出现的,其应用范围极其广泛。软磁材料不仅应用于家电领域、信息化领域、汽车领域和其他配套领域,更主要的是软磁材料作为电子元器件生产的主要原材料为其带来了源源不断的需求。而随着电子行业的发展与应用领域的扩展,对磁性材料的要求也越来越高,且对材料特性的分类要求更加细化和专业化,希望产品对应的粉体指标能达到:导磁率在2100左右,而磁芯损耗在100Kc、200mT、100℃测试条件下小于650KW/m3,Bs满足25℃时510mT,100℃时410mT(测试条件1Kc、1194A/m)。而目前所使用的材料无法保证批量生产符合此要求的产品,如表1所示,

表1:

ZP40和ZP2K7D材料的初始导磁率都超过2100左右,Bs在100℃时只有390mT,都不能满足顾客要求,亟待改进。

发明内容

针对现有技术存在的问题,本发明的目的在于提出一种ZP45高Bs软磁铁氧体材料及其生产方法,以保证产品的初始导磁率和Bs指标达到要求。

一种ZP45高Bs软磁铁氧体材料,配方组成与组成含量为:

氧化铁:    53.5~54.5mol%;

氧化锰:    37.5~38.9mol%;

氧化锌:    7.7~9.3mol%;

氧化硅:    50~80ppm;

氧化钙:    250~450ppm;

氧化铌:   300~400ppm。

优选地,所述氧化铁为54mol%。

优选地,所述氧化锰为38.2mol%。

优选地,所述氧化锌为8.5mol%。

优选地,所述氧化硅为65ppm。

优选地,所述氧化钙为350ppm。

优选地,所述氧化铌为350ppm。

一种ZP45高Bs软磁铁氧体材料生产方法,包括以下步骤:

按上述的配方比例,将各组成原料充分混合;

振磨;

轧片;

预烧;

粗粉碎;

二次粉碎;

制浆;

配方分析与调整;

料浆调整;

喷雾造粒后,完成了ZP45高Bs软磁铁氧体材料的粉体制备。

本发明的ZP45高Bs软磁铁氧体材料,初始导磁率为100左右,Bs在100℃时为410mT,都能满足顾客要求。

附图说明

图1是本发明实施例中一种ZP45高Bs软磁铁氧体材料生产方法流程图。

具体实施方式

下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案:

本发明实施例提供了一种ZP45高Bs软磁铁氧体材料,配方组成与组成含量为:氧化铁(Fe2O3):53.5~54.5mol%,例如54mol%;氧化锰(MnO):37.5~38.9mol%,例如38.2mol%;氧化锌(ZnO):7.7~9.3mol%,例如8.5mol%;氧化硅(SiO2):50~80ppm(1mg/kg),例如65ppm;氧化钙(CaO):250~450ppm,例如350ppm;氧化铌(Nb2O5):300~400ppm,例如350ppm。

本发明实施例提供了一种ZP3KD软磁铁氧体材料生产方法,如图1所示,包括以下步骤:

步骤101,按上述的配方比例,将各组成原料充分混合;

步骤102,振磨;

步骤103,轧片;

步骤104,预烧;

步骤105,粗粉碎;

步骤106,二次粉碎;

步骤107,制浆;

步骤108,配方分析与调整;

步骤109,料浆调整;

步骤110,喷雾造粒后,完成了ZP45高Bs软磁铁氧体材料的粉体制备,特性如表2所示。

表2:

通过对粉体的试压和试烧和检测,完成对材料性能合格与否的判定,使用合格的ZP45高Bs软磁铁氧体材料进行相应铁氧体磁芯的制造,磁芯制造的主要工艺流程为:粉料调湿、成型、烧结、研磨、清洁、分测、包装。

本发明实施例提供了以上所述,仅为本发明较佳的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变,都应涵盖在本发明的保护范围之内。

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