[发明专利]带掩码位查找电路、旁路转换缓冲器、存储器及微处理器有效
| 申请号: | 201310259758.2 | 申请日: | 2013-06-26 |
| 公开(公告)号: | CN104252333B | 公开(公告)日: | 2017-03-29 |
| 发明(设计)人: | 王丽娜;范煜川 | 申请(专利权)人: | 龙芯中科技术有限公司 |
| 主分类号: | G06F9/30 | 分类号: | G06F9/30 |
| 代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人: | 刘芳 |
| 地址: | 100190 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 掩码 查找 电路 旁路 转换 缓冲器 存储器 微处理器 | ||
1.一种带掩码位查找电路,其特征在于,包括第一位存储单元、第二位存储单元、位查找单元和掩码位数据输入单元;
所述掩码位数据输入单元用于输入待存储数据和掩码位,当所述掩码位无效时,所述掩码位数据输入单元输出第一数据、第二数据、第三数据和第四数据,其中,第一数据与第二数据数值相反,第三数据与第四数据数值相反,第一数据与第三数据数值相反;当所述掩码位有效时,所述掩码位数据输入单元输出查找无效码,所述查找无效码用于控制所述位查找单元不执行查找操作;
所述第一位存储单元的输入端与所述掩码位数据输入单元相连,用于输入所述第一数据和第二数据,并存储为第一存储数据,所述第二位存储单元的输入端与所述掩码位数据输入单元相连,用于输入所述第三数据和第四数据,并存储为第二存储数据;
所述第一位存储单元的输出端与所述位查找单元的一个控制端相连,以将所述第一存储数据传送给所述位查找单元用于比较,所述第二位存储单元的输出端与所述位查找单元的另一个控制端相连,以将所述第二存储数据传送给所述位查找单元用于比较。
2.根据权利要求1所述的带掩码位查找电路,其特征在于,所述掩码位数据输入单元包括第一或非门、第二或非门、第一非门、第二非门和第三非门;
所述第一或非门的第一输入端用于输入所述掩码位,所述第一或非门的第二输入端用于输入所述待存储数据,所述第一或非门的输出端与所述第一非门的输入端连接,所述第一或非门的输出端用于输出所述第三数据,所述第一非门的输出端用于输出所述第四数据;
所述第二或非门的第一输入端用于输入所述掩码位,所述第二或非门的第二输入端与所述第三非门的输出端连接,所述第三非门的输入端用于输入所述待存储数据,所述第二或非门的输出端与所述第二非门的输入端连接,所述第二或非门的输出端用于输出所述第一数据,所述第二非门的输出端用于输出所述第二数据。
3.根据权利要求2所述的带掩码位查找电路,其特征在于,所述第一位存储单元包括:第一场效应管、第二场效应管和具有存储二进制数功能的交叉耦合反相器,所述第一场效应管和第二场效应管为第一类场效应管;
所述第一场效应管的控制端连接至写字线,所述第一场效应管的第一数据端用于接收所述第一数据,所述第一场效应管的第二数据端连接至所述交叉耦合反相器的正相输入端;
所述第二场效应管的控制端连接至写字线,所述第二场效应管的第一数据端用于接收所述第二数据,所述第二场效应管的第二数据端连接至所述交叉耦合反相器的反相输入端;
所述第二位存储单元与所述第一位存储单元的结构相同;所述第二位存储单元中的第一场效应管的第一数据端用于接收所述第三数据,所述第二位存储单元中的第二场效应管的第一数据端用于接收所述第四数据。
4.根据权利要求3所述的带掩码位查找电路,其特征在于,所述交叉耦合反相器包括第三场效应管、第四场效应管、第五场效应管和第六场效应管,所述第三场效应管和第四场效应管为所述第一类场效应管,所述第五场效应管和第六场效应管为第二类场效应管;
所述第三场效应管、第四场效应管、第六场效应管和第五场效应管的各数据端顺次连接成环形;
所述第三场效应管的控制端与所述第五场效应管的控制端连接,且与所述第四场效应管中与第六场效应管连接的数据端连接,还作为所述交叉耦合反相器的反相输入端与所述第二场效应管的第二数据端连接;
所述第四场效应管的控制端与所述第六场效应管的控制端连接,且与所述第三场效应管中与第五场效应管连接的数据端连接,并且作为所述交叉耦合反相器的正相输入端与所述第一场效应管的第二数据端连接,还作为所述第一位存储单元或第二位存储单元的输出端与所述位查找单元中对应的一控制端连接。
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