[发明专利]预沉积工艺、扩散工艺及扩散设备有效
| 申请号: | 201310259686.1 | 申请日: | 2013-06-26 |
| 公开(公告)号: | CN104250725B | 公开(公告)日: | 2016-11-23 |
| 发明(设计)人: | 张彦召;白志民 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/56 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 沉积 工艺 扩散 设备 | ||
1.一种预沉积工艺,用于在衬底表面沉积扩散所需的扩散源薄膜,其特征在于,包括步骤S1:按预定顺序先后向扩散腔室通入两种以上的前驱体,并且在通入每种前驱体之后,且在通入下一种前驱体之前,向所述扩散腔室通入吹扫气体,所述吹扫气体为不与所述前驱体发生反应的气体;并且
进行上述步骤至少一次。
2.根据权利要求1所述的预沉积工艺,其特征在于,在所述步骤S1之前,还包括下述步骤S0:
向所述扩散腔室通入吹扫气体。
3.根据权利要求1所述的预沉积工艺,其特征在于,在所述步骤S1中,借助载气携带每种前驱体通入所述扩散腔室;
所述载气为不与所述前驱体发生反应的气体。
4.根据权利要求3所述的预沉积工艺,其特征在于,所述载气包括氮气或者惰性气体。
5.根据权利要求1所述的预沉积工艺,其特征在于,在所述步骤S1中,所述吹扫气体包括氮气或者惰性气体。
6.根据权利要求1所述的预沉积工艺,其特征在于,在所述步骤S1之前,对所述衬底加热至100~200℃。
7.根据权利要求1所述的预沉积工艺,其特征在于,在所述步骤S1之后,对所述衬底加热至700~900℃。
8.一种扩散工艺,所述扩散工艺包括预沉积工艺,用于在衬底 的表面上沉积扩散所需的扩散源薄膜,其特征在于,所述预沉积工艺采用上述权利要求1-7任意一项所述的预沉积工艺。
9.根据权利要求8所述的扩散工艺,其特征在于,还包括高温扩散工艺,用于将沉积在所述衬底表面上的扩散源薄膜扩散至所述衬底内。
10.一种扩散设备,用于对衬底进行扩散工艺,包括扩散腔室和进气单元,其特征在于,所述进气单元用于按预定顺序先后向所述扩散腔室通入两种以上的前驱体,并且在通入每种前驱体之后,且在通入下一种前驱体之前,向所述扩散腔室通入吹扫气体,所述吹扫气体为不与所述前驱体发生反应的气体。
11.根据权利要求10所述的扩散设备,其特征在于,所述进气单元包括前驱体源、吹扫气源、载气管路和前驱体支路,其中
所述吹扫气源用于向所述扩散腔室提供吹扫气体;
所述前驱体源的数量为两个以上,每个所述前驱体源用于向所述扩散腔室提供一种前驱体;
所述载气管路的数量与所述前驱体源的数量一一对应,每个所述载气管路的两端分别与所述吹扫气源和所述扩散腔室相连通;
所述前驱体支路的数量与所述载气管路的数量一一对应,所述前驱体支路的两端分别与所述载气管路和与该载气管路相对应的前驱体源相连通;
在每个所述前驱体支路上设置有第一控制阀,用以接通或断开所述前驱体支路。
12.根据权利要求11所述的扩散设备,其特征在于,所述进气单元还包括吹扫管路,所述吹扫管路的两端分别与所述吹扫气源和所述扩散腔室连通,并且在所述吹扫管路上设置有第二控制阀,用以接通或断开所述吹扫管路。
13.根据权利要求10所述的扩散设备,其特征在于,还包括控制单元,所述控制单元用于控制两种以上的前驱体以预设频率,且按预定顺序先后向所述扩散腔室通入。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





