[发明专利]无闩锁静电放电保护

说明书

技术领域

本发明涉及一种静电放电(electrostatic discharge；ESD)模块。

背景技术

由静电产生的静电放电(ESD)其特征通常在于快速瞬间高电压放电。ESD事件可出现在电性及电子电路中，如集成电路(IC)。其可产生足以对连接于例如集成电路输入及/或输出的装置造成破坏性击穿的高电压。

保护IC免于ESD的方式是使用硅控整流器(silicon controlled rectifier；SCR)。然而，习知的SCR电路在正常IC操作期间受制于闩锁(latch up)。闩锁影响IC的操作而造成缺陷。

因此，期望有能够快速触发以避免破坏内部电路并且在正常操作期间不出现闩锁的ESD保护电路。

发明内容

呈现一种ESD模块。ESD模块包括衬底中的第一部分(first portion；FP)。FP包括第二极性类型的FP井区(well)以及第一与第二FP接触区。第一FP接触区为第一极性类型FP接触区以及第二FP接触区为第二极性类型FP接触区。ESD模块也包括衬底中的第二部分(second portion；SP)。SP包括第一极性类型的SP井区以及第一与第二SP接触区。第一SP接触区为第一极性类型SP接触区以及第二SP接触区为第二极性类型SP接触区。中间区(intermediate portion；IP)在衬底中置于衬底中的第一与第二部分之间。IP包括第二极性类型的IP井区。中间部分提升ESD模块的触发电流及保持电压以防止在正常装置操作期间的闩锁。

在另一具体实施例中，揭露一种ESD模块。ESD模块包括衬底中的第一部分(FP)、第二部分(SP)以及中间部分(IP)。FP包括第二极性类型的FP井区以及第一、第二和第三FP接触区。第一与第三FP接触区为第一极性类型FP接触区。第二FP接触区为第二极性类型FP接触区。SP包括第一极性类型的SP井区以及第一与第二SP接触区。第一SP接触区为第一极性类型SP接触区以及第二SP接触区为第二极性类型SP接触区。IP置于衬底中的FP与SP之间。IP包括第二极性类型的IP井区。IP提升ESD模块的触发电流及保持电压以防止在正常装置操作期间的闩锁。

在又一具体实施例中，呈现一种形成装置的方法。本方法包括提供制备有ESD模块的衬底。ESD模块包括衬底中的第一部分(FP)。FP包括第二极性类型的FP井区以及第一与第二FP接触区。第一FP接触区为第一极性类型FP接触区以及第二FP接触区为第二极性类型FP接触区。ESD模块也包括衬底中的第二部分(SP)。SP包括第一极性类型的SP井区以及第一与第二SP接触区。第一SP接触区为第一极性类型SP接触区以及第二SP接触区为第二极性类型SP接触区。ESD模块也包括在衬底中置于衬底中的FP与SP之间的中间部分(IP)。IP包括第二极性类型的IP井区。IP提升ESD模块的触发电流及保持电压以防止在正常装置操作期间的闩锁。

本文所揭露具体实施例的这些及其它优点及特征透过参照以下说明及附加图式将变得显而易知。另外，要理解的是，本文所述各种具体实施例的特征不互斥并且可有各种组合及排列。

附图说明

在图式中，相似的组件符号在各图标中普遍意指相同的部件。还有，图式未必依比例绘制，在描述本发明的原理时通常加强重点。在以下的说明中，本发明的各种具体实施例是引用以下图式予以说明，其中：

图1a至图1d显示装置一部分的具体实施例；

图2显示ESD模块一具体实施例的寄生电路；以及

图3显示ESD模块一具体实施例的操作曲线。

符号说明

100       装置

102       第一接端、接垫

105       半导体衬底

106       第二接端

108       第三接端、低电源

110       ESD模块

170       内部电路

200       ESD寄生电路

220       第一部分(FP)

222       FP井区

224       第一FP接触区

228       第二FP接触区

235       第三FP接触区

240       第二部分(SP)

242       SP井区

244       第一SP接触区

248       第二SP接触区