[发明专利]半导体发光器件

权利要求书

1.一种半导体发光器件，包括：

支撑层(160)；

在所述支撑层上且包括第一部分和第二部分的第一电极层(155)，所述第二部分的厚度比所述第一部分的厚度薄；

发光结构(140)，其包括n型半导体层(110)、p型半导体层(130)和在所述n型半导体层和所述p型半导体层之间且设置在所述第一电极层上的有源层(120)；

在所述第一电极层的所述第二部分上且在所述第一电极层和所述p型半导体层之间的金属基导电层(151)；

在所述n型半导体层上的第二电极层(170)；和

具有通过蚀刻所述发光结构的外壁形成的沟槽的沟道区域(145)，

其中所述第一电极层(155)的所述第一部分接触所述p型半导体层的底表面，

其中所述金属基导电层(151)的内部部分(151B)接触所述p型半导体层的底表面，

其中所述第一电极层(155)包括反射材料，

其中所述n型半导体层(110)包括InGaN层和AlGaN层中的至少之一，

所述p型半导体层(130)包括AlGaN层和InAlGaN层中的至少之一，

并且所述有源层(120)包括InGaN层、AlGaN层和GaN层中的至少之一。

2.权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述第一电极层(155)和所述金属基导电层(151)形成在所述p型半导体层下方。

3.权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述金属基导电层(151)的所述内部部分(151B)形成在所述p型半导体层和所述第一电极层之间的外部界面上。

4.权利要求1-3中任一项所述的半导体发光器件，其中所述金属基导电层(151)的外部部分(151A)形成在所述发光结构的所述沟道区域上。

5.权利要求1-3中任一项所述的半导体发光器件，其中所述第一电极层(155)形成在所述p型半导体层和所述金属基导电层下方。

6.权利要求1-3中任一项所述的半导体发光器件，其中所述第一电极层(155)包含Ag。

7.权利要求1-3中任一项所述的半导体发光器件，其中所述第一电极层(155)的面积比所述p型半导体层的面积大。

8.权利要求1-3中任一项所述的半导体发光器件，其中所述金属基导电层包括沿所述第二电极层的上表面的外部部分的环状、框状和带状。

9.权利要求1-3中任一项所述的半导体发光器件，其中所述金属基导电层的外部不与发光区域交叠。

10.权利要求1-3中任一项所述的半导体发光器件，其中所述金属基导电层(151)具有与所述第一电极层不同的电导率。

11.权利要求1-3中任一项所述的半导体发光器件，其中所述第一电极层的尺寸比所述发光结构的尺寸大。

12.权利要求1-3中任一项所述的半导体发光器件，其中所述金属基导电层(151)的厚度比所述第一电极层的厚度薄。

13.权利要求1-3中任一项所述的半导体发光器件，其中所述金属基导电层(151)包括透光材料且与所述p型半导体层进行欧姆接触。

14.权利要求1-3中任一项所述的半导体发光器件，其中所述金属基导电层(151)的所述外部部分(151A)的顶表面相对于所述p型半导体层的至少一个侧表面被暴露。