[发明专利]绿芯片加红荧光粉长方型高折射率LED封装结构及方法

说明书

技术领域

本发明涉及LED封装技术领域，特别是涉及一种绿芯片加红荧光粉长方型高折射率LED封装结构及方法。

背景技术

现有LED封装中发光芯片采用的是AllnGaP芯片，由于AllnGaP芯片一般为单电极，封装时正负极性无法变通，AllnGaP为芯片本身的发光波长，其发光波长不可调，AllnGaP芯片材质较脆，容易损坏。同时采用AllnGaP芯片封装的LED光亮度较低，成本较高。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种绿芯片加红荧光粉长方型高折射率LED封装结构及方法，能够提高发光亮度且降低成本。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：提供一种绿芯片加红荧光粉长方型高折射率LED封装结构，包括支架和双电极绿光芯片，所述支架包括碗杯和杯壁；所述碗杯呈长方型结构；所述杯壁的内侧面为圆弧面，并位于碗杯的边缘，所述杯壁的杯口呈圆角矩形；所述碗杯的上表面安装有所述双电极绿光芯片，所述双电极绿光芯片通过两根导线与碗杯上的电极相连；所述双电极绿光芯片周围固化有红色荧光粉胶体层。

所述双电极绿光芯片为InGaN芯片。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：还提供一种上述绿芯片加红荧光粉长方型高折射率LED封装结构的封装方法，包括以下步骤：

（1）将双电极绿光芯片放置在碗杯的上表面，并通过导线将双电极绿光芯片与碗杯上的电极相连；

（2）将红色荧光粉和环氧树脂或硅胶进行搅拌配制红色荧光粉胶体层，其中，红色荧光粉的浓度为5%-70%；

（3）将红色荧光粉胶体层点入支架的碗杯中，使红色荧光粉胶体层包裹绿光芯片；

（4）固化红色荧光粉胶体层完成封装。

所述双电极绿光芯片为InGaN芯片。

所述步骤（2）中将红色荧光粉和环氧树脂或硅胶在室温下搅拌2-5分钟，转速为2000-3000转/分钟。

所述绿光芯片的波长为515nm，红色荧光粉的浓度为5%。

所述绿光芯片的波长为517.5nm，红色荧光粉的浓度为12.8%。

所述绿光芯片的波长为520nm，红色荧光粉的浓度为20.7%。

所述绿光芯片的波长为522.5nm，红色荧光粉的浓度为31.8%。

所述绿光芯片的波长为525nm，红色荧光粉的浓度为42.95%。

所述绿光芯片的波长为527.5nm，红色荧光粉的浓度为55.7%。

所述绿光芯片的波长为530nm，红色荧光粉的浓度为70%。

有益效果

由于采用了上述的技术方案，本发明与现有技术相比，具有以下的优点和积极效果：本发明采用双电极绿光芯片，在封装时极性可根据需要进行变通，可操作性更强。本发明的发光颜色可根据红色荧光粉的浓度进行调节，实现方式灵活多变。本发明中的双电极绿光芯片可选用InGaN芯片，该芯片材质较硬，可提高产品品质可靠性。

附图说明

图1是本发明的结构示意图；

图2是本发明中杯口的结构示意图；

图3是本发明中绿光芯片的相对光谱图；

图4是本发明中红色荧光粉的相对光谱图；

图5是本发明的封装结构的相对光谱图。

具体实施方式

下面结合具体实施例，进一步阐述本发明。应理解，这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。此外应理解，在阅读了本发明讲授的内容之后，本领域技术人员可以对本发明作各种改动或修改，这些等价形式同样落于本申请所附权利要求书所限定的范围。

本发明的实施方式涉及一种绿芯片加红荧光粉长方型高折射率LED封装结构，如图1所示，包括支架1和双电极绿光芯片2，所述支架1包括碗杯11和杯壁12；所述碗杯11呈长方型结构；所述杯壁12的内侧面为圆弧面，并位于碗杯11的边缘，所述杯壁12的杯口呈圆角矩形（见图2），其中，圆角矩形是将标准矩形的四个角替换为对称圆弧形角的矩形；所述碗杯11的上表面安装有所述双电极绿光芯片2，所述双电极绿光芯片2通过两根导线3与碗杯11上的电极相连；所述双电极绿光芯片2周围固化有红色荧光粉胶体层4。其中，红色荧光粉胶体层4由红色荧光粉和环氧树脂或硅胶搅拌而成。由于杯壁的内侧面为圆弧面，杯壁的杯口呈圆角矩形，从而可增加光折射率。