[发明专利]具有改进的热耗散和光提取的高压LED

权利要求书

1.一种照明装置，包括：

多边形管芯，包括多个发光二极管(LED)，每个LED都包括：

多个外延层，所述外延层包括p型层、n型层以及设置在所述p型层和所述n型层之间的多量子阱(MQW)；以及

p型电极和n型电极，分别与所述p型层和所述n型层电连接；

基台，每个所述LED都与所述基台连接，所述p型电极和所述n型电极位于所述基台和所述外延层之间，所述基台包括多个传导元件，所述多个传导元件被配置为串联地电连接所述多个LED的至少一部分，并且从上往下看时，所述多个LED中的至少一些具有非矩形形状。

2.根据权利要求1所述的照明装置，其中，从上往下看时，至少一些所述LED具有与剩余的所述LED不同的形状。

3.根据权利要求1所述的照明装置，其中，从上往下看时，至少一些所述LED具有非矩形的多边形形状。

4.根据权利要求1所述的照明装置，其中，从上往下看时，至少一些所述LED具有一些曲边。

5.根据权利要求1所述的照明装置，其中，分离相邻LED的第一子集的第一距离大于分离相邻LED的第二子集的第二距离。

6.根据权利要求1所述的照明装置，其中，所述照明装置包括多个多边形管芯。

7.根据权利要求1所述的照明装置，其中，所述基台包括金属材料、绝缘体上硅、硅基台、陶瓷基台或金属芯印刷电路板(MCPCB)基台中的一种。

8.根据权利要求7所述的照明装置，其中，至少一些所述传导元件包括：形成在所述硅基台上方的互连层的金属线或形成在所述MCPCB基台上方的金属导线。

9.一种照明装置，包括：

管芯，包括多个发光二极管(LED)，并且每个LED均包括：

多个外延层，所述外延层包括p掺杂的III-V族化合物层、n掺杂的III-V族化合物层以及设置在所述p掺杂的III-V族化合物层和所述n掺杂的III-V族化合物层之间的多量子阱(MQW)；和

第一电极和第二电极，分别与所述p掺杂的III-V族化合物层和所述n掺杂的III-V族化合物层电连接；以及

基台，与所述管芯接合，所述第一电极和所述第二电极位于所述基台和所述外延层之间；

其中，以下的至少一种情况是真实的：

从上往下看时，一些LED具有与其他LED不同的图案；

从上往下看时，一些LED具有非矩形的多边形形状；以及

从上往下看时，一些LED具有一个或多个曲边。

10.一种制造高压发光二极管装置的方法，所述方法包括：

在一种或多种外延工艺期间在生长衬底上方生长多个外延层，其中，所述多个外延层包括p掺杂的III-V族化合物层、n掺杂的III-V族化合物层以及设置在所述p掺杂的III-V族化合物层和所述n掺杂的III-V族化合物层之间的多量子阱(MQW)；

根据光刻图案，通过蚀刻去除所述生长衬底上方的所述外延层的一部分以形成分离的LED之间的间隙，所述图案包括非矩形LED；

在每个所述LED的上方形成p型电极和n型电极，所述p型电极与所述p掺杂的III-V族化合物层电连接，并且所述n型电极与所述n掺杂的III-V族化合物层电连接；

将所述LED接合至基台，使得接合之后所述p型电极和所述n型电极位于所述基台和所述外延层之间；以及

此后减薄或去除所述生长衬底。