[发明专利]带防反射膜的基材的制造方法及光电池

权利要求书

1.带防反射膜的基材的制造方法，该带防反射膜的基材由形成于基材上的高折射率层、和形成于该高折射率层上的低折射率层构成，其特征在于，该制造方法依次具备下述的工序(a)～(e)：

(a)在基材上涂布分散液的工序，该分散液是包含1～1000ppm的碱性氮化合物、且折射率在1.50～2.40的金属氧化物粒子的分散液；

(b)在低于所述碱性氮化合物的沸点的温度下除去所述分散液的分散介质的工序；

(c)涂布低折射率层形成成分分散液的工序；

(d)在50℃～120℃下干燥，除去所述低折射率层形成成分分散液的分散介质的工序，

(e)在120～700℃下对所述基材进行加热的工序。

2.如权利要求1所述的带防反射膜的基材的制造方法，其特征在于，所述低折射率层形成成分是二氧化硅前体、或者二氧化硅前体和硅溶胶。

3.如权利要求2所述的带防反射膜的基材的制造方法，其特征在于，所述二氧化硅前体是选自有机硅化合物的部分水解产物、水解产物、水解缩聚物、聚硅氮烷、聚硅烷、酸性硅酸液的至少1种。

4.如权利要求1所述的带防反射膜的基材的制造方法，其特征在于，所述低折射率层形成成分分散液的浓度以固体成分计在0.5～10重量％的范围内。

5.如权利要求1所述的带防反射膜的基材的制造方法，其特征在于，所述碱性氮化合物的沸点在40～250℃的范围内。

6.如权利要求1所述的带防反射膜的基材的制造方法，其特征在于，所述金属氧化物粒子是由选自TiO₂、ZrO₂、Al₂O₃、ZnO、SnO₂、Sb₂O₅、In₂O₃、Nb₂O₅的1种以上的金属氧化物、它们的混合物、复合氧化物构成的。

7.如权利要求6所述的带防反射膜的基材的制造方法，其特征在于，所述金属氧化物粒子的平均粒径在5～100nm的范围内。

8.如权利要求1所述的带防反射膜的基材的制造方法，其特征在于，所述含有碱性氮化合物的金属氧化物粒子分散液中的金属氧化物粒子的浓度以固体成分计在0.5～20重量％的范围内。

9.如权利要求1所述的带防反射膜的基材的制造方法，其特征在于，所述含有碱性氮化合物的金属氧化物粒子分散液还包含基质形成成分，基质形成成分的浓度以固体成分计在0.1～4重量％的范围内。

10.如权利要求1所述的带防反射膜的基材的制造方法，其特征在于，所述基材在表面具有凹凸，表面粗糙度(Ra_A)在30nm～1μm的范围内。

11.如权利要求1所述的带防反射膜的基材的制造方法，其特征在于，所述基材是玻璃基材。

12.带防反射膜的基材，其特征在于，通过权利要求1～11中任一项所述的制造方法而获得，由基材、高折射率层和低折射率层层叠而成。

13.如权利要求12所述的带防反射膜的基材，其特征在于，所述高折射率层的平均厚度在50～200nm的范围内。

14.如权利要求12所述的带防反射膜的基材，其特征在于，所述低折射率层的平均厚度在30～200nm的范围内。

15.如权利要求12所述的带防反射膜的基材，其特征在于，带防反射膜的基材的铅笔硬度在7H以上。

16.光电池，其特征在于，在正面具备权利要求12～15中任一项所述的带防反射膜的基材。