[发明专利]测算接触孔与多晶硅栅极对准偏差值的方法有效
| 申请号： | 201310256206.6 | 申请日： | 2013-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN103354211A | 公开（公告）日： | 2013-10-16 |
| 发明（设计）人： | 范荣伟;顾晓芳;龙吟;倪棋梁;陈宏璘 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01B15/00 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 测算 接触 多晶 栅极 对准 偏差 方法 | ||
1.一种测算接触孔与多晶硅栅极对准偏差值的方法，其特征在于，包括：
步骤S01：在半导体衬底上建立测试模块矩阵；
步骤S02：对所述测试模块矩阵中的各个测试模块区域进行离子注入，使所述各个测试模块的结构均形成PMOS/N型阱区结构；
步骤S03：经光刻和刻蚀工艺，在所述各个测试模块上形成接触孔；
步骤S04：平坦化所述接触孔后，采用电子束缺陷扫描仪在负负载条件下对所述接触孔进行缺陷检测，得到漏电影像特征图；
步骤S05：根据漏电影像特征图测算所述栅极间的接触孔与所述多晶硅栅极的对准偏差值。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的测试模块包括有P型有源区，N型阱区，和所述多晶硅栅极。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，建立所述的测试模块矩阵的方法，包括：
在所述半导体器件衬底上选取测试区域；
选取要测试的所述接触孔与所述多晶硅栅极的关键尺寸，以形成关键尺寸矩阵；
将所述的关键尺寸矩阵中的每组数据作为一个测试模块区域的数据，根据所述每组数据建立测试模块区域，将所述测试模块区域排布在所述测试区域内，从而得到所述的测试模块矩阵。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述测试模块的排布为：所述P型有源区呈纵向排布，所述多晶硅栅极呈横向排布。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述关键尺寸矩阵中，所述关键尺寸按照从小到大的顺序排布。
6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述测试模块矩阵中每行至少有3个所述测试模块，所述测试模块等距排布。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述PMOS/N型阱区结构的形成方法，包括：
步骤S11：对所述半导体衬底进行P型阱区的离子注入，采用光阻遮挡住所述测试模块矩阵；
步骤S12：对所述半导体衬底进行N型阱区离子注入，将所述光阻去除，所述半导体器件衬底形成N型阱区；
步骤S13：对所述半导体衬底进行N型有源区离子注入，采用光阻遮挡住所述测试模块矩阵；
步骤S14：对所述半导体衬底进行P型有源区离子注入，将所述光阻去除，从而形成所述PMOS/N型阱区结构的测试模块矩阵。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的接触孔包括栅极间接触孔、有源区接触孔和栅源共享接触孔。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电子束缺陷扫描仪采用的着陆电压为2300eV-2800eV，电流为80-125nA。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电子束缺陷扫描仪采用的像素为30-100nm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310256206.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
