[发明专利]透明导电性膜、其制造方法及具备其的触摸面板

权利要求书

1.一种透明导电性膜，其特征在于，其为在透明的膜基材的至少一面具有由至少2层透明导电性薄膜形成的透明导电性薄膜层叠体的透明导电性膜，

所述透明导电性薄膜层叠体的透明导电性薄膜均为氧化铟或含有4价金属元素的氧化物的铟系复合氧化物的结晶质膜，

在所述透明导电性薄膜层叠体的表面侧具有氧化铟或以{4价金属元素的氧化物/(4价金属元素的氧化物+氧化铟)}×100(%)表示的4价金属元素的氧化物的比例超过0且为6重量%以下的铟系复合氧化物的第一透明导电性薄膜，

从所述透明导电性薄膜层叠体的表面侧开始继第一透明导电性薄膜之后具有所述4价金属元素的氧化物的比例比所述第一透明导电性薄膜大的铟系复合氧化物的第二透明导电性薄膜，

且所述透明导电性薄膜层叠体整体的厚度为35nm以下。

2.根据权利要求1所述的透明导电性膜，其特征在于，所述第一透明导电性薄膜的氧化铟或铟系复合氧化物中的4价金属元素的氧化物的比例与所述第二透明导电性薄膜的铟系复合氧化物中的4价金属元素的氧化物的比例之差为3重量%以上。

3.根据权利要求1所述的透明导电性膜，其特征在于，所述第二透明导电性薄膜的铟系复合氧化物中的4价金属元素的氧化物的比例为3～35重量%。

4.根据权利要求1所述的透明导电性膜，其特征在于，所述第一透明导电性薄膜的厚度比所述第二透明导电性薄膜的厚度小。

5.根据权利要求4所述的透明导电性膜，其特征在于，所述第一透明导电性薄膜的厚度与所述第二透明导电性薄膜的厚度之差为1nm以上。

6.根据权利要求1所述的透明导电性膜，其特征在于，所述第一透明导电性薄膜的厚度为1～17nm，

所述第二透明导电性薄膜的厚度为9～34nm。

7.根据权利要求1所述的透明导电性膜，其特征在于，在从所述透明的膜基材开始至少第1层上，具有除所述第一透明导电性薄膜及所述第二透明导电性薄膜以外的第三透明导电性薄膜。

8.根据权利要求7所述的透明导电性膜，其特征在于，所述第三透明导电性薄膜为氧化铟或以{4价金属元素的氧化物/(4价金属元素的氧化物+氧化铟)}×100(%)表示的4价金属元素的氧化物的比例超过0且为6重量%以下的铟系复合氧化物。

9.根据权利要求1所述的透明导电性膜，其特征在于，相对于所述透明导电性薄膜层叠体整体的厚度的、所述第一透明导电性薄膜的厚度的比例为1～45%。

10.根据权利要求1所述的透明导电性膜，其特征在于，铟系复合氧化物为铟·锡复合氧化物，4价金属元素的氧化物为锡氧化物。

11.根据权利要求1所述的透明导电性膜，其特征在于，从膜基材侧开始，介由底涂层设置有所述透明导电性薄膜层叠体。

12.一种透明导电性膜的制造方法，其特征在于，是制造权利要求1～11中任一项所述的透明导电性膜的方法，

所述方法是通过对如下所述的透明导电性膜实施加热处理，使所述透明导电性膜中的至少2层透明导电性薄膜结晶化，

所述透明导电性膜在透明的膜基材的至少一面具有由至少2层透明导电性薄膜形成的透明导电性薄膜层叠体，

所述透明导电性薄膜层叠体的透明导电性薄膜均为氧化铟或含有4价金属元素的氧化物的铟系复合氧化物的非晶质膜，

在所述透明导电性薄膜层叠体的表面侧具有氧化铟或以{4价金属元素的氧化物/(4价金属元素的氧化物+氧化铟)}×100(%)表示的4价金属元素的氧化物的比例超过0且为6重量%以下的铟系复合氧化物的第一透明导电性薄膜，

从所述透明导电性薄膜层叠体的表面侧开始继第一透明导电性薄膜之后具有所述4价金属元素的氧化物的比例比所述第一透明导电性薄膜大的铟系复合氧化物的第二透明导电性薄膜。

13.一种触摸面板，其特征在于，具备权利要求1～11中任一项所述的透明导电性膜。