[发明专利]一种锰氧化细菌及其应用有效

专利信息
申请号: 201310255013.9 申请日: 2013-06-25
公开(公告)号: CN103333826A 公开(公告)日: 2013-10-02
发明(设计)人: 曲久辉;柏耀辉;周娜娜;梁金松;刘锐平;胡承志 申请(专利权)人: 中国科学院生态环境研究中心
主分类号: C12N1/20 分类号: C12N1/20;C02F3/34;B09C1/10;C12R1/40
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 陈晓娜
地址: 100085*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 氧化 细菌 及其 应用
【权利要求书】:

1.一种锰氧化细菌,所述细菌为恶臭假单胞菌(Pseudomonas putida)QJX-1菌株,其保藏号为:CGMCC No.6630。

2.根据权利要求1所述的锰氧化细菌,其特征在于,所述细菌氧化Mn2+的条件为:pH6.5-8.5,10-35℃,在Mn2+浓度不高于1000μM的条件下能生长并且具有Mn2+氧化活性。

3.根据权利要求1所述的锰氧化细菌,其特征在于,所述细菌能在不灭菌的水体或固体基质中生存并发挥Mn2+氧化活性。

4.根据权利要求1所述的锰氧化细菌用于去除水体或固体基质中Mn2+的应用,其中所述水体包括工业废水、生活废水、地下水及自来水,其中所述固体基质包括土壤、沉积物。

5.一种微生物菌剂,所述微生物菌剂包含保藏号为CGMCC No.6630的恶臭假单胞菌QJX-1菌株作为活性成分。

6.一种去除水体或固体基质中Mn2+的方法,所述方法包括下述步骤:

将权利要求1的锰氧化细菌或包含权利要求1的锰氧化细菌的微生物菌剂接种到所述水体或固体基质中,在10-35℃,pH6.5-8.5的条件下培养适当的时间。

7.根据权利要求6所述的方法,其中所述水体包括工业废水、生活废水、地下水及自来水,其中所述固体基质包括土壤、沉积物。

8.根据权利要求6所述的方法,其中培养条件为20-35℃,pH7.0-8.5。

9.根据权利要求6所述的方法,其中所述水体或固体基质中Mn2+的浓度不高于1000μM,优选不高于500μM,更优选不高于200μM。

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