[发明专利]发光二极管模块有效
申请号: | 201310254593.X | 申请日: | 2013-06-25 |
公开(公告)号: | CN103295528A | 公开(公告)日: | 2013-09-11 |
发明(设计)人: | 许文曲;刘立伟;张华罡 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | G09G3/32 | 分类号: | G09G3/32 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 郭蔚 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 模块 | ||
1.一种发光二极管模块,包含:
一发光单元;及
一发光二极管电路,耦接于该发光单元,包含:
一第一晶体管,具有一用以接收一数据信号的第一端,一用以接收一扫描信号的控制端,及一第二端;
一储存电容,具有一耦接于该第一晶体管的第二端的第一端,及一第二端;
一第二晶体管,具有一用以耦接一第一电压源的第一端,一用以接收一致能信号的控制端,及一第二端;
一第三晶体管,具有一耦接于该第二晶体管的第二端的第一端,一耦接于该储存电容的第二端的控制端,及一第二端;以及
一第四晶体管,具有一耦接于该储存电容的第二端的第一端,一用以接收一控制信号的控制端,及一耦接于该第二晶体管的第二端的第二端。
2.如权利要求1所述的发光二极管模块,其特征在于,该发光单元具有一耦接于该第三晶体管的第二端的第一端,及一用以耦接一第二电压源的第二端。
3.如权利要求1所述的发光二极管模块,其特征在于,该发光单元具有一用以耦接该第一电压源的第一端,及一用以耦接该第二晶体管的第一端的第二端。
4.如权利要求2或3所述的发光二极管模块,其特征在于,该第一晶体管、该第二晶体管、该第三晶体管及该第四晶体管是为N型薄膜晶体管。
5.一种驱动发光二极管模块的方法,该发光二极管模块包含一发光单元及一耦接于该发光单元的发光二极管电路,该发光二极管电路包含一第一晶体管、一第二晶体管、一第三晶体管、一第四晶体管及一储存电容,该第一晶体管的第一端是耦接于一数据线,该第一晶体管的第二端是耦接于该储存电容的第一端,该储存电容的第二端是耦接于该第三晶体管的控制端及该第四晶体管的第一端,该第二晶体管的第一端是耦接一第一电压源,该第二晶体管的第二端是耦接于该第三晶体管的第一端及该第四晶体管的第二端,该方法包含:
导通该第一晶体管、该第二晶体管及该第四晶体管,以将该数据线输入的参考电位写入该储存电容;
当将该数据线输入的参考电位写入该储存电容后,关闭该第二晶体管;
当关闭该第二晶体管后,关闭该第四晶体管;
将该数据线输入的数据电位写入该储存电容;
当将该数据线输入的数据电位写入该储存电容时,关闭该第一晶体管;及
当关闭该第一晶体管后,开启该第二晶体管。
6.如权利要求5所述的方法,其特征在于,将该数据线输入的数据电位写入该储存电容是于关闭该第四晶体管后执行。
7.如权利要求5所述的方法,其特征在于,该发光单元具有一耦接于该第三晶体管的第二端的第一端,及一用以耦接一第二电压源的第二端。
8.如权利要求5所述的方法,其特征在于,该发光单元具有一用以耦接该第一电压源的第一端,及一用以耦接该第二晶体管的第一端的第二端。
9.如权利要求7或8所述的方法,其特征在于,另包含当关闭该第一晶体管后,将该数据线重置至该参考电位。
10.如权利要求7或8所述的方法,其特征在于,该第一晶体管、该第二晶体管、该第三晶体管及该第四晶体管是为N型薄膜晶体管。
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