[发明专利]固态成像装置及其制造方法以及电子设备无效
申请号: | 201310254575.1 | 申请日: | 2013-06-25 |
公开(公告)号: | CN103531606A | 公开(公告)日: | 2014-01-22 |
发明(设计)人: | 宫波勇树;中泽正志 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/30 | 分类号: | H01L27/30;H01L51/48 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 焦玉恒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 成像 装置 及其 制造 方法 以及 电子设备 | ||
1.一种固态成像装置,包括:
半导体基体;
有机光电转换层,形成在该半导体基体之上;
接触孔,形成在该半导体基体上的绝缘层中;
导体层,形成在该接触孔中并且该导体层将包括该有机光电转换层的光电转换部分与该半导体基体电连接;和
接触部分,与该接触孔中的该导体层自对准地形成在该半导体基体中,并且该接触部分连接到该导体层。
2.根据权利要求1所述的固态成像装置,
其中包括该有机光电转换层的有机光电转换部分和形成在该半导体基体中的光电转换部分被竖直地堆叠。
3.根据权利要求1所述的固态成像装置,
其中采用背面照射型结构,其中该半导体基体的光入射表面和电路形成表面是不同的表面。
4.一种具有有机光电转换层的固态成像装置的制造方法,包括:
在半导体基体上形成的绝缘层上形成反射激光的反射膜;
加工该反射膜和该绝缘膜,并且形成到达该半导体基体的接触孔;
通过激光退火在该接触孔下的该半导体基体中形成接触部分;
在该接触孔中形成与该半导体基体中的该接触部分相连接的导体层;以及
在该半导体基体之上形成与该导体层电连接且包括该有机光电转换层的光电转换部分。
5.根据权利要求4所述的固态成像装置的制造方法,
其中,在形成该接触孔后,形成包括杂质的膜并且之后通过激光退火使杂质从该包括杂质的膜扩散以形成该接触部分。
6.根据权利要求4所述的固态成像装置的制造方法,
其中,在形成该接触孔后,通过离子注入法或等离子体掺杂法将杂质引入该半导体基体中,并且之后,该引入的杂质通过激光退火活化以形成该接触部分。
7.一种电子设备,包括:
光学系统;
固态成像装置,包括
半导体基体,
有机光电转换层,形成在该半导体基体之上,
接触孔,形成在该半导体基体上的绝缘层中,
导体层,形成在该接触孔中并且该导体层将包括该有机光电转换层的光电转换部分与该半导体基体电连接,和
接触部分,与该接触孔中的该导体层自对准地形成在该半导体基体中,并且该接触部分连接到该导体层;以及
信号处理电路,处理该固态成像装置的输出信号。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼公司,未经索尼公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的