[发明专利]虚拟化电特性优化测试方法有效
| 申请号： | 201310254372.2 | 申请日： | 2013-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN104239591B | 公开（公告）日： | 2017-10-24 |
| 发明（设计）人： | 宋旻皓;陈斌斌 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 虚拟 特性 优化 测试 方法 | ||
【权利要求书】：
1.虚拟化电特性优化测试方法，其特征在于，测试步骤包括：
1)采集调试样品芯片的电优化参数模拟值和工艺特性参数，建立与所采集的数据最匹配的线性拟合函数模型；
2)根据置信区间确定量产测试中建模需要采集的样品数；所述样品数满足公式：
r＝CONFIDENCE((1-α)/2，(σ+Δ)，S)<±A/n
其中，±A为模拟值设计范围，n为数字参数个数，S为需采集样品数，r为置信范围，α为要求的置信区间，σ为基于调试样品芯片的线性拟合函数的斜率计算得到的样本标准偏差，Δ为根据所述工艺特性参数估算得到的工艺浮动；
3)在量产测试时，采集步骤2)所确定的样品数的芯片的数据，通过数学优化方法，建立产品虚拟化电特性优化测试最佳函数；
4)参照步骤3)建立的最佳函数，完成所有芯片的虚拟化电特性优化量产测试。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤3)，所述数学优化方法包括最小二乘法。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤4)的量产测试步骤进一步包括：
41)向芯片设置数字参数中间值；
42)测量芯片输出模拟值；
43)测试程序将设计标准模拟值写入最佳函数，计算出最佳数字参数。
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