[发明专利]断电延迟电路与方法,以及具断电延迟的音响系统无效
申请号: | 201310252996.0 | 申请日: | 2009-07-15 |
公开(公告)号: | CN103368541A | 公开(公告)日: | 2013-10-23 |
发明(设计)人: | 林棋桦;唐健夫;陈曜洲;陈安东 | 申请(专利权)人: | 立锜科技股份有限公司 |
主分类号: | H03K17/22 | 分类号: | H03K17/22;H04R3/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王宝筠 |
地址: | 中国台湾新*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 断电 延迟 电路 方法 以及 音响系统 | ||
技术领域
本发明涉及一种断电延迟电路与方法,具体地说,是一种用于音响系统的断电延迟电路与方法。
背景技术
为避免扬声器在音响系统开启及关闭时产生爆音(pop),已知技术使用音讯消音(audio mute)集成电路(IC)来消除爆音。然而在电源关闭时,音讯消音IC缺乏足够大的电源电压支持其内部电路正确运作,因此难以维持其消音功能。为解决此问题,必须在电源关闭时延长音讯消音IC的电源电压的维持时间,使其内部电路在电源关闭后仍能正常工作一段时间,让音源静音的功能发挥作用,且让音响系统的输出电压讯号在电源关闭后仍能正确维持一段时间。
美国专利号5778238揭露一种用于微控制器的电源关闭重启电路,其系将P-N接面二极管连接外部电源以对电容充电,所述电容在电源关闭时提供低电压侦测电路操作所需的能量,使MOSFET晶体管导通而释放电源重启电路输入端的延迟电容的电荷,避免因为前次关机时所述延迟电容未完全放电而导致再开机时的延迟时间缩短。但是所述二极管连接在外部电源和内部电路之间会消耗额外的电压压降,导致内部电路工作电压的边际值变小,而且所述二极管输出的电压也会随外部电源电压浮动。
因此已知的用于微控制器的电源关闭重启电路存在着上述种种不便和问题。
发明内容
本发明的目的,在于提出一种用于音响系统的断电延迟电路及方法。
本发明的另一目的,在于提出一种具断电延迟的音响系统。
为实现上述目的,本发明的技术解决方案是:
一种断电延迟电路,其特征在于包括:
一外部电源输入端;
一内部电源供应端;
一电容连接所述内部电源供应端;
一开关连接在所述外部电源输入端及所述内部电源供应端之间;
一磁滞比较器具有第一输入端连接所述外部电源输入端、第二输入端连接所述内部电源供应端,以及输出端产生控制讯号控制所述开关;
其中,所述开关在第一状态下打开而连接所述外部电源输入端到所述内部电源供应端,且在第二状态下关闭。
本发明的断电延迟电路还可以采用以下的技术措施来进一步实现。
前述的断电延迟电路,其中所述开关包括一MOS晶体管连接在所述外部电源输入端及所述内部电源供应端之间,受所述控制讯号控制。
前述的断电延迟电路,其中所述开关包括:
一第一PMOS晶体管连接在所述外部电源输入端及所述内部电源供应端之间,受所述控制讯号控制;
一电压切换电路连接所述第一PMOS晶体管的基底,以切换其电压。
前述的断电延迟电路,其中所所述电压切换电路包括:
一第二PMOS晶体管连接在所述外部电源输入端及所述第一PMOS晶体管的基底之间,在所述第一状态下将所述外部电源输入端的电压施加到所述第一PMOS晶体管的基底;
一电阻连接在所述内部电源供应端及所述第一PMOS晶体管的基底之间,在所述第二状态下将所述内部电源供应端的电压施加到所述第一PMOS晶体管的基底。
前述的断电延迟电路,其中所所述电阻包括所述第一PMOS晶体管的基底电阻。
前述的断电延迟电路,其中所所述磁滞比较器包括起始状态设定电阻连接所述磁滞比较器的输出端,设定所述控制讯号的起始逻辑状态。
前述的断电延迟电路,其中所所述磁滞比较器包括:
第一及第二输入晶体管,所述第一输入晶体管具有闸极连接所述外部电源输入端;
磁滞用电阻连接在所述第二输入端及所述第二输入晶体管的闸极之间;
磁滞用电流源串联所述磁滞用电阻;
其中,所述磁滞用电阻产生压降以决定所述磁滞比较器的磁滞大小。
前述的断电延迟电路,其中所所述电容的电容值定义所述断电延迟电路的延迟时间。
一种断电延迟方法,其特征在于包括以下步骤:
(A)监视外部电源输入端的电压及内部电源供应端的电压;
(B)根据所述外部电源输入端的电压及所述内部电源供应端的电压磁滞性地控制使所述外部电源输入端连接或不连接到所述内部电源供应端;
(C)在所述外部电源输入端连接到所述内部电源供应端期间,对电容充电。
本发明的断电延迟方法还可以采用以下的技术措施来进一步实现。
前述的断电延迟方法,其中所述步骤A包括比较所述外部电源输入端的电压及所述内部电源供应端的电压。
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