[发明专利]同步整流自驱动电路和电路的分压方法

权利要求书

1.一种同步整流自驱动电路，包括第一驱动MOSFET管、第二驱动MOSFET管和倍压电路，所述倍压电路包括辅助绕组，第一电容、第一二极管和第二二极管，所述辅助绕组的同名端连接所述第一驱动MOSFET管的栅极，所述辅助绕组的异名端连接所述第一电容的一端和所述第二驱动MOSFET管的漏极，所述第一电容的另一端连接所述第一二极管和所述第二二极管，所述第一二极管的另一端接地，所述第二二极管的另一端与所述第二驱动MOSFET管的栅极相连，其特征在于，所述同步整流自驱动电路还包括：第二电容和第三二极管，其中，所述第二电容串联在所述辅助绕组的异名端和所述第一电容之间，所述第三二极管与所述第二电容并联，使得所述第二电容和所述第三二极管的一端与所述辅助绕组的异名端相连，所述第二电容和所述第三二极管的另一端与所述第二驱动MOSFET管的栅极相连；

当所述第一驱动MOSFET管导通，且所述辅助绕组的同名端为正，所述辅助绕组的异名端为负时，所述第一电容和所述第二电容用于对所述驱动MOSFET管漏极上产生的负压进行分压。

2.根据权利要求1所述的同步整流自驱动电路，其特征在于，所述驱动MOSFET管漏极上产生的负压值为所述辅助绕组异名端对地产生的负压*所述第二电容的容值/（所述第一电容的容值+所述第二电容的容值）。

3.根据权利要求1所述的同步整流自驱动电路，其特征在于，还包括：续流管；

当所述第一驱动MOSFET管关断时，所述辅助绕组给所述第二电容充电，驱动所述第三二极管导通，并通过所述第二驱动MOSFET管驱动所述续流管导通。

4.根据权利要求3所述的同步整流自驱动电路，其特征在于，所述第二驱动MOSFET管包括：体二极管；

当所述第一驱动MOSFET管再次导通时，所述第二驱动MOSFET管的体二极管正偏置导通，以给所述续流管栅极放电，使所述续流管关断。

5.根据权利要求1-4任一项所述的同步整流自驱动电路，其特征在于，所述第一电容的容值和/或所述第二电容的容值可变。

6.一种对权利要求1所述的同步整流自驱动电路进行分压的方法，包括第一驱动MOSFET管、第二驱动MOSFET管和倍压电路，所述倍压电路包括辅助绕组，第一电容、第一二极管和第二二极管，所述辅助绕组的同名端连接所述第一驱动MOSFET管的栅极，所述辅助绕组的异名端连接所述第一电容的一端和所述第二驱动MOSFET管的漏极，所述第一电容的另一端连接所述第一二极管和所述第二二极管，所述第一二极管的另一端接地，所述第二二极管的另一端与所述第二驱动MOSFET管的栅极相连，其特征在于，所述同步整流自驱动电路还包括：第二电容和第三二极管，其中，所述第二电容串联在所述辅助绕组的异名端和所述第一电容之间，所述第三二极管与所述第二电容并联，使得所述第二电容和所述第三二极管的一端与所述辅助绕组的异名端相连，所述第二电容和所述第三二极管的另一端与所述第二驱动MOSFET管的栅极相连，所述方法包括：

当所述第一驱动MOSFET管导通，且所述辅助绕组的同名端为正，所述辅助绕组的异名端为负时，所述第一电容和所述第二电容对所述驱动MOSFET管漏极上产生的负压进行分压。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述驱动MOSFET管漏极上产生的负压值为所述辅助绕组异名端对地产生的负压*所述第二电容的容值/（所述第一电容的容值+所述第二电容的容值）。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

当所述第一驱动MOSFET管关断时，所述辅助绕组给所述第二电容充电，驱动所述第三二极管导通，并通过所述第二驱动MOSFET管驱动续流管导通。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

当所述第一驱动MOSFET管再次导通时，所述第二驱动MOSFET管的体二极管正偏置导通，以给所述续流管栅极放电，使所述续流管关断。

10.根据权利要求6-9任一项所述的方法，其特征在于，所述第一电容的容值和/或所述第二电容的容值可变。