[发明专利]反应腔室及外延生长设备在审
申请号: | 201310252607.4 | 申请日: | 2013-06-24 |
公开(公告)号: | CN104233233A | 公开(公告)日: | 2014-12-24 |
发明(设计)人: | 蒲春 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
主分类号: | C23C16/46 | 分类号: | C23C16/46;C23C16/18 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 反应 外延 生长 设备 | ||
1.一种反应腔室,包括设置在其内的多个托盘,以及环绕在所述反应腔室的外周壁上的感应线圈,其中,所述多个托盘采用磁导体材料制作,且沿竖直方向间隔设置,用以承载被加工工件;所述感应线圈与交流电源连接,用以采用感应加热的方式加热所述托盘,其特征在于,所述感应线圈包括至少两个彼此独立的子线圈,且沿所述反应腔室的周向排列;
所述交流电源的数量与所述子线圈的数量相对应,且二者一一对应地电连接,通过独立控制每个所述交流电源向与之对应的所述子线圈提供的交变电流的相位和/或大小,使由各个子线圈产生的交变磁场相互作用,以使每个托盘各个区域的温度趋于均匀。
2.根据权利要求1所述的反应腔室,其特征在于,每个所述子线圈为在一弧面内螺旋缠绕的弧面线圈,并且所述弧面和与之相对的所述反应腔室的外周壁的弧面相对应。
3.根据权利要求1或2所述的反应腔室,其特征在于,所述至少两个子线圈的形状和大小完全相同。
4.根据权利要求2所述的反应腔室,其特征在于,在所述反应腔室的外周壁上,且位于每个所述子线圈中的相邻两匝线圈之间设置有至少一个绝缘柱,用以支撑所述子线圈,并隔离相邻的两匝线圈。
5.根据权利要求4所述的反应腔室,其特征在于,所述绝缘柱包括金属柱,在所述金属柱的外表面上设置有绝缘层。
6.根据权利要求1所述的反应腔室,其特征在于,所述反应腔室还包括测温单元,用以测量每个托盘各个区域的温度;
根据每个托盘各个区域的温度而获得每个所述交流电源向与之对应的所述子线圈提供的交变电流的相位和/或大小,以使每个托盘各个区域的温度趋于均匀。
7.根据权利要求6所述的反应腔室,其特征在于,所述测温单元包括数量与所述托盘相对应的红外温度传感器,并且所述红外温度传感器一一对应地设置在所述托盘的斜上方,用以测量所述托盘各个区域的温度。
8.根据权利要求7所述的反应腔室,其特征在于,所述反应腔室还包括控制单元,所述控制单元用于接收分别由每个所述红外温度传感器发送而来的温度信号,并根据该温度信号调节相应的所述交变电源输出的交变电流的相位和/或大小。
9.根据权利要求8所述的反应腔室,其特征在于,所述反应腔室还包括存储单元,所述存储单元用于预先存储加热时间、每个托盘各个区域的温度之差以及每个所述交流电源向与之对应的所述子线圈提供的交变电流的相位和/或大小之间的对应关系;
所述控制单元接收分别由每个所述红外温度传感器发送而来的温度信号,并读取所述存储单元中当前加热时间,与该温度信号相对应的每个所述交流电源向与之对应的所述子线圈提供的交变电流的相位和/或大小,且控制各个所述交变电源输出与之相同相位和/或大小的交变电流。
10.一种外延生长设备,包括反应腔室,其特征在于,所述反应腔室采用了如权利要求1-9任意一项所述的反应腔室。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的