[发明专利]光半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201310252029.4 | 申请日： | 2013-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN103515841A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 高木和久 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22;H01S5/026 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 何欣亭;李浩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
1. 一种光半导体装置，其中包括：
半导体衬底；
半导体激光器部，该半导体激光器部设于所述半导体衬底上，具有垂直脊；以及
光调制器部，该光调制器部设于所述半导体衬底上，具有倒台面脊，对从所述半导体激光器部出射的光进行调制。
2. 根据权利要求1所述的光半导体装置，其中，将所述光调制器部的所述倒台面脊的底的宽度设为d1，将所述半导体激光器部的所述垂直脊的底的宽度设为d2时，满足d1＋0.2μm＞d2。
3. 根据权利要求1或2所述的光半导体装置，其中还包括：被动波导部，该被动波导部设于所述半导体衬底上，具有垂直脊，将从所述半导体激光器部出射的光引导至所述光调制器部。
4. 根据权利要求1或2所述的光半导体装置，其中，所述光调制器部为马赫曾德尔型。
5. 一种光半导体装置，其中包括：
半导体衬底；
半导体激光器部，该半导体激光器部设于所述半导体衬底上，具有垂直脊；以及
半导体光放大器部，该半导体光放大器部设于所述半导体衬底上，具有倒台面脊，对从所述半导体激光器部出射的光进行放大。
6. 根据权利要求5所述的光半导体装置，其中，
所述半导体激光器部具有集成于所述半导体衬底上的多个激光器，
还具备光合波器，所述光合波器将从所述多个激光器出射的光合波并输入所述半导体光放大器部。
7. 一种光半导体装置的制造方法，其中包括：
在半导体衬底上形成半导体激光器部和对从所述半导体激光器部出射的光进行调制的光调制器部的工序；
通过干蚀刻来形成所述半导体激光器部的垂直脊的工序；以及
通过湿蚀刻来形成所述光调制器部的倒台面脊的工序。
8. 一种光半导体装置的制造方法，其中包括：
在半导体衬底上形成半导体激光器部和对从所述半导体激光器部出射的光进行放大的半导体光放大器部的工序；
通过干蚀刻来形成所述半导体激光器部的垂直脊的工序；以及
通过湿蚀刻来形成所述半导体光放大器部的倒台面脊的工序。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱电机株式会社，未经三菱电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310252029.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
