[发明专利]碲镉汞气相外延材料的P型热处理工艺方法无效
| 申请号： | 201310251737.6 | 申请日： | 2013-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN103343390A | 公开（公告）日： | 2013-10-09 |
| 发明（设计）人： | 焦翠灵;王仍;徐国庆;林杏潮;张莉萍;邵秀华;张可锋;杜云辰;陆液 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02;C30B29/48 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 200083 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碲镉汞气相 外延 材料 热处理 工艺 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种碲镉汞气相外延材料的P型热处理工艺方法，其特征在于方法如下：将由气相外延工艺获得的碲镉汞外延材料样品放在开管式气相外延生长系统中的石英小套管内，对腔体进行抽真空，在200℃到300℃温度下对碲镉汞外延材料样品进行热处理，实现N→Ｐ的反型；热处理温度、时间及方式根据材料所处波段不同而有所不同，对于组分x为0.27～0.33的中波Hg1-xCdxTe外延材料，热处理的温度为250℃，热处理的时间3～5小时，对于组分为0.21～0.226的长波Hg1-xCdxTe材料，采用四次循环低温抽真空热处理方式，热处理的温度为220℃，每次热处理的时间为5小时。
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