[发明专利]一种集成温度补偿负反馈的芯片结构

权利要求书

1.一种集成温度补偿负反馈的芯片结构，包括芯片VDD端、芯片GND端、芯片SW端、第一晶体管、第二晶体管、启动电路模块、电源供电模块、逻辑控制模块、驱动模块、以及带温度补偿负反馈模块，其中芯片VDD端分别与带温度补偿负反馈模块、电源供电模块、启动电路模块连接；所述电源供电模块分别与带温度补偿负反馈模块、逻辑控制模块连接；所述逻辑控制模块分别与启动电路模块、带温度补偿负反馈模块、驱动模块连接；所述驱动模块分别与第一晶体管的栅极、第二晶体管的栅极连接；所述启动电路模块、第一晶体管的漏极、第二晶体管的漏极分别与芯片SW端连接；所述第二晶体管的源端与带温度补偿负反馈模块连接；所述第一晶体管的源端与芯片GND端连接；其特征在于：所述带温度补偿的负反馈模块包括补偿二极管单元（D1）、第一电阻（R1）、第二电阻（R2）、第三电阻（Rsence）、基准电流源（Iref）和比较器，其中补偿二极管单元（D1）的一端与芯片VDD端连接，补偿二极管单元（D1）的另一端与第一电阻（R1）的一端连接；所述第一电阻（R1）的另一端分别与比较器的正端、第二晶体管的源端、第三电阻（Rsence）的一端连接；所述基准电流源（Iref）的一端与电源供电模块连接，基准电流源（Iref）的另一端分别与比较器的负端、第二电阻（R2）的一端连接；所述第二电阻（R2）的另一端和第三电阻（Rsence）的另一端均与芯片VDD端连接。

2. 根据权利要求1所述的集成温度补偿负反馈的芯片结构，其特征在于：所述第一电阻（R1）、第二电阻（R2）和第三电阻（Rsence）为相同类型电阻，且具有相同的温度系数。

3. 根据权利要求1所述的集成温度补偿负反馈的芯片结构，其特征在于：所述基准电流源（Iref）具有零温度系数。

4. 根据权利要求1所述的集成温度补偿负反馈的芯片结构，其特征在于：所述补偿二极管单元（D1）包括N对正接二极管和反接二极管，所述N对正接二极管和反接二极管的连接方式为串联，其中N为1以上的自然数。