[发明专利]圆柱阵列形跨尺度葡萄糖传感器用工作电极及其制备方法无效
申请号: | 201310251429.3 | 申请日: | 2013-06-24 |
公开(公告)号: | CN103344688A | 公开(公告)日: | 2013-10-09 |
发明(设计)人: | 景蔚萱;陈路加;王兵;周帆;蒋庄德;牛玲玲;齐含;苑国英 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
主分类号: | G01N27/327 | 分类号: | G01N27/327 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 陆万寿 |
地址: | 710049 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 圆柱 阵列 尺度 葡萄糖 传感 器用 工作 电极 及其 制备 方法 | ||
1.一种圆柱阵列形跨尺度葡萄糖传感器用工作电极,其特征在于:包括玻璃基板(1)以及一端用银粉导电胶(2)固定在玻璃基板(1)上,另一端于玻璃基板(1)边缘外悬空的由光纤纤芯(3)组成的光纤阵列,在光纤纤芯(3)上沉积有Au膜(4),在Au膜上生长有ZnO纳米线(5),固定在ZnO纳米线(5)上的GOD(6)。
2.根据权利要求1所述的圆柱阵列形跨尺度葡萄糖传感器用工作电极,其特征在于:所述玻璃基板(1)的长度为30mm、宽度为30mm、厚度为1.5mm。
3.根据权利要求1所述的圆柱阵列形跨尺度葡萄糖传感器用工作电极,其特征在于:所述的光纤纤芯(3)的长度为40mm,直径为φ125μm,于玻璃基板(1)边缘外悬空20mm。
4.根据权利要求1所述的圆柱阵列形跨尺度葡萄糖传感器用工作电极,其特征在于:所述的Au膜(4)的厚度为300nm。
5.根据权利要求1所述的圆柱阵列形跨尺度葡萄糖传感器用工作电极,其特征在于:所述的ZnO纳米线(5)为正六边形结构,采用水浴法生长在Au膜(4)上,其长度为1~2μm,正六边形直径为φ0.1~0.3μm。
6.根据权利要求1所述的圆柱阵列形跨尺度葡萄糖传感器用工作电极,其特征在于:所述的GOD活力为40U/mg。
7.一种圆柱阵列形跨尺度葡萄糖传感器用工作电极的制备方法,其特征在于包括以下步骤:
1)取若干根光纤纤芯(3),在光纤纤芯(3)表面基于磁控溅射工艺沉积厚度为300nm的Au膜(4);
2)基于标准清洗工艺对玻璃基板(1)进行清洗,其中玻璃基板长30mm、宽30mm、厚度为1.5mm;
3)将沉积有Au膜(4)的光纤纤芯(3)以阵列方式紧密排列在清洗好的玻璃基板(1)上,形成圆柱阵列形组件,其中圆柱阵列形组件一端用银粉导电胶(2)粘接在玻璃基板(1)上,另一端于玻璃基板边缘外悬空20mm,在室温下干燥固定后进行标准清洗得圆柱阵列形光纤纤芯组件;
4)配制浓度为1mmol/L的ZnO纳米线种子层溶液;
5)将沉积有Au膜(4)的圆柱阵列形光纤纤芯组件悬空部分浸入ZnO纳米线种子层溶液,在Au膜(4)表面上得到ZnO纳米线种子层;
6)将沉积有ZnO纳米线种子层的圆柱阵列形组件置于150℃的真空干燥机中完成退火处理;
7)配制浓度为0.025mol/L的ZnO纳米线生长液;
8)将沉积有种子层的圆柱阵列形结构悬空部分浸入ZnO纳米线生长液中,基于水热法于90℃下在圆柱阵列形组件上生长ZnO纳米线(5),得到圆柱阵列形跨尺度结构;
9)超声清洗生长有ZnO纳米线的圆柱阵列形跨尺度结构,并在室温下干燥;
10)配制浓度为0.01mol/L、pH为7.4的PBS溶液;
11)将活力为40U/mg的GOD加入到上述PBS溶液中,配制GOD浓度为40mg/mL的GOD溶液;
12)将生长有ZnO纳米线的圆柱阵列形跨尺度结构悬空部分浸入GOD溶液中,保持15min后取出,并在室温下干燥,得到一层固定在ZnO纳米线上的用于催化作用的GOD(6)。
8.根据权利要求7所述的圆柱阵列形跨尺度葡萄糖传感器用工作电极的制备方法,其特征在于:所述的光纤纤芯(3)采用多模光纤,用丙酮浸泡后剥去其包层,抽出直径为φ125μm的多模光纤纤芯(3),剪取长度为40mm的光纤纤芯,然后进行标准清洗。
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