[发明专利]喷淋头以及气相沉积设备

权利要求书

1.一种用于MOCVD工艺的喷淋头，所述MOCVD工艺为用以沉积III-V材料的工艺，所述喷淋头包括喷淋头本体和位于所述喷淋头本体中的气体腔；所述气体腔具有多个气体管道，所述气体管道一端连接所述气体腔，所述气体管道另一端贯穿所述喷淋头本体的下表面；其特征在于，所述喷淋头本体的下表面具有一材料层，所述材料层能够吸附在MOCVD工艺中不发生反应的气体。

2.如权利要求1所述的喷淋头，其特征在于，所述MOCVD工艺气体中不发生反应的气体为MOCVD工艺的载气气体。

3.如权利要求1所述的喷淋头，其特征在于，所述与MOCVD工艺气体中不发生反应的气体包括氢气、氮气或者氦气中的一种或多种。

4.如权利要求1所述的喷淋头，其特征在于，所述材料层的材料为鈀金属、镍基合金、铁基合金或镁基合金中的一种或多种。

5.如权利要求1所述的喷淋头，其特征在于，所述材料层的材料为LaNi₅、TiFe或Mg₂N中的一种或多种。

6.如权利要求4或5所述的喷淋头，其特征在于，所述与MOCVD工艺气体中不发生反应的气体为氢气。

7.如权利要求1所述的喷淋头，其特征在于，所述材料层吸附所述在MOCVD工艺中不发生反应的气体于其表面，形成一保护层，用以隔离反应气体的气体分子。

8.如权利要求1所述的喷淋头，其特征在于，所述喷淋头还包括位于所述喷淋头本体中的冷却腔，所述冷却腔位于所述气体腔的下方，所述气体管道贯穿所述冷却腔延伸至所述喷淋头本体的下表面。

9.如权利要求1所述的喷淋头，其特征在于，所述气体腔包括III族源腔和V族源腔，所述III族源腔和V族源腔分别用以向所述喷淋头本体的下表面的区域提供镓源气体和氨气气体。

10.一种气相沉积设备，包括喷淋头、与所述喷淋头相对设置的衬底托盘、及加热器，所述加热器用于加热所述衬底托盘，其特征在于，所述喷淋头为如权利要求1至9中任意一项所述的喷淋头。