[发明专利]一种石墨烯/硅太阳电池及其制造方法

权利要求书

1.一种石墨烯/硅太阳电池，其特征在于自下而上依次有背面电极（1）、p型硅层（2）、n型硅层（3）、n型掺杂的石墨烯层（4）和正面电极（5），石墨烯掺杂载流子浓度不低于10¹²cm^-2。

2.制造权利要求1所述的石墨烯/硅太阳电池的方法，其特征在于该方法包括如下步骤：

1）将p型单晶、类单晶或多晶硅片浸入化学制绒液中，使p型硅层表面形成绒面结构；

2）将制绒后的样品通过磷扩散或磷离子注入进行磷掺杂形成n型硅层，表面掺杂浓度10¹⁸cm^-3~10²¹cm^-3，结深0.2-0.6μm；

3）采用等离子刻蚀、湿法刻蚀或者激光刻蚀法，去除边缘掺杂层；

4）将n型掺杂的石墨烯转移至经步骤3）处理的磷掺杂n型硅层上，石墨烯掺杂载流子浓度不低于10¹²cm^-2；

5）在p型硅层上制作背面电极；

6）在n型掺杂的石墨烯上制作正面电极。

3.根据权利要求2所述的石墨烯/硅太阳电池的制造方法，其特征在于步骤1）所述的化学制绒液为碱的水溶液或者HF与HNO₃按任意比例的混合水溶液。