[发明专利]晶体

权利要求书

1.半导体材料砷化镓(GaAs)的晶体，该晶体具有至少100mm×100mm的矩形的横截面尺寸，或者具有4英寸、6英寸或8英寸或中间数值或更大的直径，该晶体具有位错密度的一种分布且代表位错密度的腐蚀坑密度(epd)的全局的标准偏差(σ_全局)在垂直于晶体纵轴线的平面内小于晶体的腐蚀坑密度的平均值的17.6％，其中全局的标准偏差的确定基于特征长度5mm；

并且所述晶体具有电阻率的一种分布并且全局的标准偏差(σ_全局)在垂直于晶体纵轴线的平面内小于晶体的电阻率的平均值的5.3％，其中全局的标准偏差的确定基于特征长度10mm。

2.按照权利要求1所述的晶体，其特征在于，晶体的电阻率的局部的标准偏差小于晶体的电阻率的平均值的2.8％。

3.按照权利要求1所述的晶体，其特征在于，EL2密度的全局的标准偏差小于8.5％。

4.按照权利要求1所述的晶体，其特征在于，摆动曲线的半值宽度的分布的全局的标准偏差在垂直于晶体纵轴线的平面内小于摆动曲线的半值宽度的分布的平均值的5.6％，其中全局的标准偏差的确定基于特征长度10mm。

5.按照权利要求1所述的晶体，其特征在于，结晶的材料中的位错密度小于每平方厘米100。

6.按照权利要求1所述的晶体，其特征在于，晶体中剪应力的洛伦兹分布的半值宽度小于100kPa。

7.按照权利要求6所述的晶体，其特征在于，晶体中局部的剪应力的洛伦兹分布的半值宽度小于65kPa。

8.按照权利要求1所述的晶体，其特征在于，晶体是单晶体。