[发明专利]一种半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 201310247959.0 | 申请日： | 2013-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN104241195A | 公开（公告）日： | 2014-12-24 |
| 发明（设计）人： | 周鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，包括：
提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成蚀刻停止层和层间介电层；
在所述层间介电层中形成铜金属互连结构；
在所述铜金属互连结构中形成铜金属互连层；
对所述半导体衬底依次实施等离子体处理和除气处理。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述等离子体处理的源气体为掺杂氢气的氦气。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述等离子体处理的工艺条件为：氦气的流量为100-5000sccm，氢气的流量为小于500sccm，压力为0.1-10Torr，功率为100-3000W。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用红外线照射实施所述除气处理。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述除气处理的工艺条件为：压力为小于10mTorr，红外线功率为50-2000W。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述层间介电层之后，还包括采用紫外辐照或者加热的方法使所述层间介电层多孔化的步骤。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述铜金属互连结构之后，还包括去除通过所述铜金属互连结构露出的蚀刻停止层以及实施蚀刻后处理的步骤。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述铜金属互连层之前，还包括在所述铜金属互连结构的底部和侧壁上依次形成铜金属扩散阻挡层和铜金属种子层的步骤。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述铜金属扩散阻挡层的材料为金属、金属氮化物或者其组合。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述铜金属互连层之后，还包括执行化学机械研磨直至露出所述层间介电层的步骤。
11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述除气处理之后，还包括依次形成覆盖所述层间介电层和所述铜金属互连层的另一蚀刻停止层和另一层间介电层的步骤。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
