[发明专利]一种以石墨烯作为势垒层的MTJ磁场传感器有效
| 申请号： | 201310247035.0 | 申请日： | 2013-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN103323796A | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 潘孟春;田武刚;胡靖华;胡佳飞;赵建强 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科学技术大学 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所 43008 | 代理人： | 赵洪;周长清 |
| 地址： | 410073 湖南省长沙市砚瓦池正街47*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 作为 势垒层 mtj 磁场 传感器 | ||
【权利要求书】：
1.一种以石墨烯作为势垒层的MTJ磁场传感器，其特征在于，包括两个磁力线聚集器、用来构成惠斯通测量电桥的四个MTJ磁敏感元件、四个电极及基底，两个磁力线聚集器呈对称状布置，两个所述MTJ磁敏感元件位于两个磁力线聚集器之间的间隙处，另外两个所述MTJ磁敏感元件分别位于两个磁力线聚集器的底部，每个所述MTJ磁敏感元件均包括由下至上依次堆叠排列的基底、底电极层、第一缓冲层、自由铁磁层、石墨烯势垒层、被钉扎铁磁层、钉扎层、第二缓冲层及顶电极层。
2.根据权利要求1所述的以石墨烯作为势垒层的MTJ磁场传感器，其特征在于，所述石墨烯势垒层为单层石墨烯或多层石墨烯。
3.根据权利要求2所述的以石墨烯作为势垒层的MTJ磁场传感器，其特征在于，所述石墨烯势垒层的层数为大于1的奇数。
4.根据权利要求2所述的以石墨烯作为势垒层的MTJ磁场传感器，其特征在于，所述石墨烯通过化学气相沉积法直接制备在自由铁磁层上形成石墨烯势垒层。
5.根据权利要求2所述的以石墨烯作为势垒层的MTJ磁场传感器，其特征在于，所述石墨烯通过氧化还原法或有机合成法制备好后转移到自由铁磁层上。
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