[发明专利]一种制造高介电复合薄膜的方法

权利要求书

1.一种制造高介电复合薄膜的方法，其特征在于，包括：

将微米钛酸钡、纳米钛酸锶和聚偏氟乙烯粉末均匀混合，获得混合材料粉末；

将所述混合材料粉末溶于有机溶剂中，获得有机混合溶液；

将所述有机混合溶液在室温下真空静置脱泡；

将所述有机混合溶液在基板上流延刮膜，获得平板膜；

加热所述平板膜使所述有机溶剂从所述平板膜中挥发，获得聚偏氟乙烯-钛酸钡-钛酸锶复合薄膜。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中所述将微米钛酸钡、纳米钛酸锶和聚偏氟乙烯粉末均匀混合包括：

将所述微米钛酸钡与所述纳米钛酸锶按照重量比10:1至4:1的比例球磨混合均匀，获得第一混合粉末；

将所述聚偏氟乙烯粉末与所述第一混合粉末按照重量比5:1至2:1的比例球磨混合均匀，获得所述混合材料粉末。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中所述将所述混合材料粉末溶于有机溶剂中包括：将所述混合材料粉末加入到所述有机溶剂中，在超声下搅拌直至所述聚偏氟乙烯粉末完全溶解；其中所述有机溶剂为所述聚偏氟乙烯粉末的重量的4至8倍。

4.如权利要求1至3中任意一项所述的方法，其特征在于：所述有机溶剂为N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、二甲基亚砜、氯仿、四氢呋喃、N-甲基吡咯烷酮、磷酸三乙酯或者四甲基脲。

5.如权利要求1至4中任意一项所述的方法，其特征在于，其中所述将所述有机混合溶液在室温下真空静置脱泡包括：将所述有机混合溶液在室温下真空静置脱泡2至3小时。

6.如权利要求1至4中任意一项所述的方法，其特征在于：所述平板膜的厚度为100至150微米。

7.如权利要求1至4中任意一项所述的方法，其特征在于，其中所述加热所述平板膜使所述有机溶剂从所述平板膜中挥发包括：

将所述平板膜置于真空干燥箱中；

加热所述真空干燥箱使所述真空干燥箱的温度到达预定温度；

使所述真空干燥箱在所述预定温度保持恒温8至12小时。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于：所述预定温度为60至80摄氏度。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述基板为玻璃板。