[发明专利]一种提供零温度系数电压的方法及电路

权利要求书

1.一种带隙基准参考源电路，其特征在于，包括第一双极型晶体管、第二双极型晶体管、第三双极型晶体管、第一晶体管、第二晶体管、运算放大器、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻；其中：

所述第一双极型晶体管的集电极和基极接地，发射极连接所述第四电阻的一端和所述运算放大器的反相输入端；

所述第二双极型晶体管的集电极和基极接地，发射极连接所述第一电阻的一端，所述第一电阻的另一端连接所述第五电阻的一端和所述运算放大器的正相输入端；

所述第三双极性晶体管的集电极和基极接地，发射极连接所述第二电阻的一端；

所述第一晶体管的栅极和所述第二晶体管的栅极连接所述运算放大器的输出端；所述第一晶体管的源极和所述第二晶体管的源极连接电源；所述第一晶体管的漏极连接所述第四电阻的另一端、所述第五电阻的另一端；所述第二晶体管的漏极连接所述第二电阻的另一端和第三电阻的一端，所述第三电阻的另一端接地。

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第四电阻与第五电阻的阻值相等。

3.根据权利要求1或2所述的电路，其特征在于，所述第三电阻由第六电阻和第七电阻串联替代。

4.根据权利要求1或2所述的电路，其特征在于，所述第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管为MOS场效应管或双极性晶体管。

5.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管为MOS场效应管或双极性晶体管。

6.根据权利要求1或2所示的电路，其特征在于，所述第一晶体管M1与第二晶体管M2尺寸相等。

7.根据权利要求3所示的电路，其特征在于，所述第一晶体管与第二晶体管尺寸相等。

8.根据权利要求4所示的电路，其特征在于，所述第一晶体管与第二晶体管尺寸相等。

9.一种提供零温度系数电压的方法，其特征在于，包括提供如权利要求1所述的带隙基准参考源电路，还包括以下步骤：

设置误差放大器的正相输入端和反相输入端具有相等的电压；

调节第一电阻、第二电阻和第三电阻，使第二电阻上的正温度系数的电压与第三双极型晶体管的负温度系数的电压相加，得到零温度系数的第一电压；

调节第四电阻、第五电阻，使所述第一电压降低到小于1V，同时使得第一晶体管、第二晶体管的漏极端的电压相等。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，当所述第三电阻由第六电阻和第七电阻串联替代时，所述方法还包括：

调节所述第六电阻、第七电阻的相对大小，得到范围在0V和第一电压之间的零温度系数的第二电压。