[发明专利]背侧照明的图像传感器

权利要求书

1.一种用于制造背侧照明的图像传感器的方法，所述方法包括：

在基板中形成光接收元件；

在所述基板之上形成图案化导电层，其中所述图案化导电层包括互连层和层间绝缘层；

形成对准键，该对准键与所述光接收元件间隔开并且穿过所述层间绝缘层和所述基板，其中所述图案化导电层电性连接到所述对准键；

在所述基板之上形成背侧钝化层；以及

靠近所述光接收元件在所述背侧钝化层之上形成透明导电层，其中所述透明导电层电性连接到所述对准键。

2.如权利要求1所述的方法，还包括：靠近所述光接收元件在所述透明导电层之上形成彩色滤光片和微透镜两者。

3.如权利要求1所述的方法，还包括：

在所述图案化导电层之上形成前侧钝化层；以及

在所述前侧钝化层之上形成另外的基板。

4.如权利要求3所述的方法，其中所述在所述前侧钝化层之上形成另外的基板包括：在所述前侧钝化层之上接合绝缘体上硅基板。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述形成背侧钝化层包括：形成具有多层结构的背侧钝化层，该多层结构包括折射率不同的多个层。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述形成背侧钝化层包括：形成包括折射率低于所述基板的折射率的层的背侧钝化层。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述形成透明导电层包括：由选自由ITO、ZO、SnO和ZTO构成的组中的材料形成透明导电层。

8.如权利要求7所述的方法，其中所述形成透明导电层包括：形成包括ITO层的透明导电层，且其中所述方法还包括以选自由Co、Ti、W、Mo和Cr构成的杂质组中的杂质掺杂所述ITO层。

9.如权利要求7所述的方法，其中所述形成透明导电层包括：形成包括ZO层的透明导电层，且其中所述方法还包括以选自由Mg、Zr和Li构成的杂质组中的杂质掺杂所述ZO层

10.如权利要求1所述的方法，其中所述形成透明导电层包括：形成包括多晶硅层、贵金属层或者多晶硅层与贵金属层两者的透明导电层。

11.一种用于制造背侧照明的图像传感器的方法，所述方法包括：

形成对准键穿过绝缘体上硅基板，其中所述绝缘体上硅基板包括第一半导体层、第二半导体层、以及设置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的埋入绝缘层，且其中所述对准键穿过所述第二半导体层、所述埋入绝缘层，并且至少部分穿过所述第一半导体层；

在所述第二半导体层中形成光接收元件；

靠近所述第二半导体层的背侧形成图案化导电层，其中所述图案化导电层电性连接到所述对准键；以及

将所述埋入绝缘层和所述第一半导体层移除预定的厚度直至至少一部分的所述对准键被暴露，其中采用一个或多个工艺移除所述埋入绝缘层，所述一个或多个工艺选择性移除所述埋入绝缘层，但使得所述对准键的所述暴露的部分被保留得基本完整。

12.如权利要求11所述的方法，其中所述移除所述埋入绝缘层包括采用蚀刻工艺从所述第二半导体层选择性移除部分的所述埋入绝缘层。

13.如权利要求12所述的方法，其中所述蚀刻工艺包括湿蚀刻工艺。

14.一种用于制造背侧照明的图像传感器的方法，所述方法包括：

在基板中形成光接收元件；

在所述基板中形成与所述光接收元件横向隔开的对准键；

形成具有多个互连层和多个层间绝缘层的图案化导电层构造，其中所述多个互连层中的至少一层通过第一导电通路电性连接到所述对准键；

在所述多个互连层中的所述至少一层和电压施加单元之间形成第二导电通路；

在所述基板之上形成背侧钝化层；以及

靠近所述光接收元件在所述背侧钝化层之上形成透明导电层，其中所述透明导电层通过包括所述第一导电通路、所述第二导电通路和所述对准键的第三导电通路电性连接到所述电压施加单元。

15.如权利要求14所述的方法，其中所述在所述多个互连层中的所述至少一层和电压施加单元之间形成第二导电通路包括：在所述多个互连层中的所述至少一层和所述电压施加单元的负电压输出之间形成第二导电通路。