[发明专利]一种斜沟槽超势垒整流器件及其制造方法

权利要求书

1.一种斜沟槽超势垒整流器件，包括：半导体基板，半导体基板下部为第一导电类型衬底，半导体基板上部为第一导电类型的漂移区，所述第一导电类型衬底与第一导电类型漂移区相邻接，半导体基板的上表面为第一主面，半导体基板的下表面为第二主面；所述第一导电类型漂移区的掺杂浓度低于所述第一导电类型衬底区的掺杂浓度；其特征在于：所述的第一主面上设置有至少一个斜沟槽，斜沟槽延伸进入到第一导电类型漂移区，斜沟槽的表面覆盖有绝缘栅氧化层，在覆盖有绝缘栅氧化层的斜沟槽内填充有导电多晶硅，斜沟槽的周围以及两两相邻斜沟槽之间靠近第一主面处设置有第二导电类型注入区，所有的第二导电类型注入区连在一起，形成第二导电类型注入层，所述的斜沟槽上边缘与第一主面邻接处设置有第一导电类型注入区，第一导电类型注入区与第二导电类型注入层相邻接；在所述的导电多晶硅和第一主面上淀积有第一金属层，第一金属层与导电多晶硅、第一导电类型注入区和第二导电类型注入层均欧姆接触；在第二主面上淀积有第二金属层，第二金属层与第一导电类型衬底欧姆接触。

2.如权利要求1所述的超势垒半导体整流器件，其特征在于：所述第一金属层上设有阳极端。

3.如权利要求1或2所述的超势垒半导体整流器件，其特征在于：所述第二金属层上设有阴极端。

4.一种权利要求1所述的超势垒半导体整流器件制造方法，其步骤为：

a、在第一导电类型衬底上生长第一导电类型外延层，形成权利要求1所述的半导体基板；

b、在第一主面上淀积或生长硬掩膜层；

c、选择性地掩蔽和刻蚀硬掩膜层，在第一主面上形成沟槽刻蚀区，并在第一主面的沟槽刻蚀区生长第一牺牲氧化层；

d、在第一主面上注入第一导电类型杂质，并在第一主面上刻蚀斜沟槽，斜沟槽上边缘与第一主面邻接处形成第一导电类型注入区；

e、去除第一主面上的硬掩膜层，并在第一主面和斜沟槽表面上生长第二牺牲氧化层；

f、在第一主面与斜沟槽外侧壁注入第二导电类型杂质，形成第二导电类型注入层；

g、去除第一主面和斜沟槽表面上的第二牺牲氧化层，在第一主面和斜沟槽表面上生长有绝缘栅氧化层；

h、淀积并刻蚀导电多晶硅，使得生长有绝缘栅氧化层的斜沟槽内充满导电多晶硅；

i、去除第一主面上的绝缘栅氧化层；

j、在第一主面上淀积第一金属层，形成第一电极，第一金属层与斜沟槽内的导电多晶硅欧姆接触，且和第二导电类型注入层、第一导电类型注入区欧姆接触；

k、在第二主面上淀积第二金属层，形成第二电极，第二金属层与第一导电类型衬底欧姆接触。