[发明专利]深紫外探测器及其制备方法无效
| 申请号： | 201310244835.7 | 申请日： | 2013-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN103325858A | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 梅增霞;侯尧楠;梁会力;叶大千;刘尧平;杜小龙 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/09;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京智汇东方知识产权代理事务所(普通合伙) 11391 | 代理人： | 范晓斌;郭海彬 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 深紫 探测器 及其 制备 方法 | ||
1.一种深紫外探测器，包括金属电极和材料为MgxZn1-xO的薄膜层，其特征在于，所述金属电极通过一过渡层与所述薄膜层连接，所述过渡层的材料选择成能够降低所述薄膜层与所述金属电极之间的肖特基势垒。
2.根据权利要求1所述的深紫外探测器，其特征在于，所述过渡层由被掺杂的MgyZn1-yO材料形成。
3.根据权利要求2所述的深紫外探测器，其特征在于，所述过渡层中的掺杂元素为元素周期表中第VII主族或第III主族中的一种元素。
4.根据权利要求3所述的深紫外探测器，其特征在于，所述掺杂元素为氟。
5.根据权利要求2-4中任一项所述的深紫外探测器，其特征在于，所述掺杂元素的浓度为1015～1021cm-3。
6.根据权利要求2-5中任一项所述的深紫外探测器，其特征在于，所述过渡层的所述MgyZn1-yO中的y与所述薄膜层的所述MgxZn1-xO中的x基本相同。
7.根据权利要求2-6中任一项所述的深紫外探测器，其特征在于，对于所述薄膜层，所述MgxZn1-xO中的x≥0.35。
8.根据权利要求1-7中任一项所述的深紫外探测器，其特征在于，所述过渡层由所述薄膜层的一部分被掺杂的表面形成。
9.根据权利要求1-7中任一项所述的深紫外探测器，其特征在于，所述过渡层是在所述薄膜层的表面生长形成的。
10.一种深紫外探测器的制备方法，包括：
生长MgxZn1-xO薄膜；
将掺杂元素掺杂到所述MgxZn1-xO薄膜的部分表面形成过渡层，或在所述MgxZn1-xO薄膜的部分表面生长一层被掺杂的MgyZn1-yO材料形成过渡层；以及
在所述过渡层表面沉积金属电极，从而得到所述深紫外探测器。
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