[发明专利]一种在CPI测试中防止衬垫剥离的方法以及产生的器件

权利要求书

1.一种用于防止CPI测试中的衬垫剥离的方法，包括：

在金属层表面沉积第一铝衬垫层，

在第一铝衬垫层上沉积粘着层，对该粘着层进行图案化，以形成第一铝衬垫层的露出部分，

在第一铝衬垫层的露出部分和图案化的粘着层上沉积第二铝衬垫层以形成需要的包含图案化的粘着层的铝衬垫膜。

2.根据权利要求1的方法，第一铝衬垫层的厚度为需要的铝衬垫膜的厚度的1/5-1/3。

3.根据权利要求1的方法，铝衬垫膜的铝衬垫层之间的粘着层被沉积两次，所述粘着层是钛、钽、氮化钽，或者它们的多种粘结组合。

4.根据权利要求1或3的方法，其中，该粘着层的图案化工艺使用湿法蚀刻工艺。

5.根据权利要求4的方法，其中，所述湿法蚀刻工艺使用碱性溶液中的H₂O₂添加剂，其具有20A-100A/分钟的蚀刻率。

6.根据权利要求1或3的方法，其中，该粘着层的图案化工艺使用干蚀刻工艺。

7.根据权利要求6的方法，其中，所述干蚀刻工艺使用含氟的化学物质。

8.根据权利要求7的方法，其中所述含氟的化学物质是CF₄/CHF₃/CH₂F₂。

9.根据权利要求1或3的方法，其中，该粘着层的厚度为5-50nm。

10.一种用于防止CPI测试中的衬垫剥离的方法，其在铝衬垫膜中具有多个嵌入的粘着层，所述铝衬垫膜的结构和图案由根据权利要求1-9中任一项的方法重复或根据权利要求1-9任意至少两项方法结合形成。

11.一种半导体器件，包括：

沉积在金属层表面的第一铝衬垫层，

在第一铝衬垫层上沉积的粘着层，所述粘着层上具有图案化形成的图案，其中对该粘着层的所述图案化形成了第一铝衬垫层的露出部分，

在第一铝衬垫层的露出部分和图案化的粘着层上沉积的第二铝衬垫层，其中第一铝衬垫层、粘着层和第二铝衬垫层形成了需要的包含图案化的粘着层的铝衬垫膜。

12.根据权利要求11的半导体器件，第一铝衬垫层的厚度为需要的铝衬垫膜的厚度的1/5-1/3。

13.根据权利要求11的半导体器件，铝衬垫膜的铝衬垫层之间的粘着层被沉积两次，所述粘着层是钛、钽、氮化钽，或者它们的多种粘结组合。

14.根据权利要求11或13的半导体器件，其中，该粘着层的图案通过使用湿法蚀刻工艺来转印形成。

15.根据权利要求14的半导体器件，其中，该粘着层的图案的所述湿法蚀刻工艺使用碱性溶液中的H₂O₂添加剂，其具有20A-100A/分钟的蚀刻率。

16.根据权利要求11或13的半导体器件，其中，该粘着层的图案使用干蚀刻工艺来转印形成。

17.根据权利要求16的半导体器件，其中，该粘着层的图案的所述干蚀刻工艺使用含氟的化学物质。

18.根据权利要求17的半导体器件，其中所述含氟的化学物质是CF₄/CHF₃/CH₂F₂。

19.根据权利要求11或13的半导体器件，其中，该粘着层的厚度为5-50nm。

20.一种用于防止CPI测试中的衬垫剥离的半导体器件，其在铝衬垫膜中具有多个嵌入的粘着层，所述铝衬垫膜的结构和图案是权利要求11-19任意一项的结构的重复或权利要求11-19任意至少两项的结构的组合。