[发明专利]一种锗纳米管的制备方法

权利要求书

1.一种锗纳米管的制备方法，其特征在于一种锗纳米管的制备方法，具体是按照以下步骤进行的：

一、选取直径为13mm～25mm、厚度为6μm～11μm，孔径为200nm～3μm的聚碳酸酯多孔膜，采用离子溅射将聚碳酸酯多孔膜的暗面溅射厚度为160nm～500nm的金，制得一端镀金的电沉积锗纳米管的工作电极，并采用导电浆液将工作电极的镀金端贴合在导电基板上；

二、在H₂O和O₂含量均小于1ppm的条件下，将GeCl₄加入到离子液体1-甲基-3-乙基咪唑双三氟磺酸胺盐溶剂中，溶解摇匀后静置24h，配制得到浓度为0.01～0.5mol/L的电解液；其中GeCl₄的纯度不低于99.99%；

三、在H₂O和O₂含量均小于1ppm的条件下，将银丝作为参比电极、铂片作为对比电极，并将参比电极、对比电极和步骤一得到的工作电极放入步骤二得到的电解液中，控制电压为-2.2～-1.4V，沉积时间为20min～120min，得到的填充锗纳米管的行径蚀刻聚碳酸酯膜；

四、用异丙醇清洗步骤三沉积后的得到的填充锗纳米管的行径蚀刻聚碳酸酯膜的表面，晾干，再放入二氯甲烷溶液或者三氯甲烷溶液中，溶解时间为30～60min，得到锗纳米管。

2.根据权利要求1所述的一种锗纳米管的制备方法，其特征在于步骤一中导电基板为铜箔、镍片、氧化铟锡或氟掺杂氧化锡。

3.根据权利要求1所述的一种锗纳米管的制备方法，其特征在于步骤一中金的厚度为200nm～400nm。

4.根据权利要求1所述的一种锗纳米管的制备方法，其特征在于步骤二中电解液浓度为0.1mol/L～0.2mol/L。

5.根据权利要求1所述的一种锗纳米管的制备方法，其特征在于步骤四中二氯甲烷溶液或者三氯甲烷溶液的溶剂为二甲基甲酰胺。