[发明专利]一种用半导体晶圆片来制备的掩模版

权利要求书

1.一种用于离子注入或带电高能粒子辐照的掩模版，包括以下部分：

(1)掩模版是用半导体晶圆片透过蚀刻方法来制备的；

(2)晶圆片中有所需的穿通的特征图形。

2.根据权利要求1所述的掩模版，其特征在于，在部分(1)中的掩模版可以是用两片或更多片制备好的硅材料的掩模版键合起来合成单一的但较厚的掩模版。

3.根据权利要求1所述的掩模版，其特征在于，在部分(1)中的半导体晶圆片是硅晶圆片，外表面可以有一氧化硅层，氧化硅层厚度薄于3um。

4.根据权利要求1所述的掩模版，其特征在于，在部分(1)中的半导体晶圆片的厚度为50um至3000um不等。

5.根据权利要求1所述的掩模版，其特征在于，在部分(1)中的蚀刻方法可以是干法蚀刻或湿法蚀刻或干湿法混合蚀刻。

6.根据权利要求1所述的掩模版，其特征在于，在部分(2)中的穿通的特征图形的宽度尺寸为5um至400um不等。

7.根据权利要求1所述的掩模版，其特征在于，在部分(2)中的穿通的特征图形可以是规则的和不规则的。