[发明专利]单转双占空比可调电路

说明书

技术领域

本发明涉及一种差分电路，特别是涉及单转双占空比可调电路。

背景技术

在通信系统中，为了提高噪声抵抗能力，接收机的射频前端电路一般会采用差分结构，单端信号通过单端转差分装置转为差分信号。如专利申请号2012100461973所述，单端转双端电路，它包括第一晶体管、第二晶体管和变压单元，该变压单元包括第一电感元件、第二电感元件和第三电感元件，第一电感元件与第三电感元件根据第一互耦参数进行第一耦合，第二电感元件和第三电感元件根据第二互耦参数进行第二耦合。

然而，在射频前端应用中，采用TSPC结构的预分频器，如若为奇数分频，预分频器产生的信号占空比不为50%，且是单端输出。经过简单的单端转差分装置后，不能修正占空比。当混频器的输入信号占空比不为50%时，会产生本振泄露，噪声增加等问题。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供一种结构简单、可输出占空比为50%差分信号的单转双占空比可调电路。

本发明的目的是通过以下技术方案来实现的：单转双占空比可调电路，它包括第一差分对管M1、第二差分对管M2和一个倒比例管M3，第一差分对管M1的栅极连接输入信号，第一差分对管M1的漏极通过隔直电容C1连接第二差分对管M2的栅极，第二差分对管M2的漏极和第一差分M1的漏极为差分输出端，第一差分对管M1的源极和第二差分对管M2的源极均连接电流源；倒比例管M3的栅极连接电源电压，倒比例管M3的漏极与第二差分对管M2的栅极相连，倒比例管M3的源极与由R1、R2组成的分压电路的中点相连。

进一步的，所述第一差分对管M1的漏极和第二差分对管M2的漏极与电源电压之间还设有滤波电容C2，滤波电容C2通过电阻R5与第一差分对管M1的漏极相连，滤波电容C2还通过电阻R4与第二差分对管M2的漏极相连。

进一步的，所述电阻R4和电阻R5的阻值相同，电阻R4和电阻R5用于调整输出电压的摆幅。

进一步的，所述第一差分对管M1的漏极和第二差分对管M2的漏极与电源电压之间还设有电阻R3，电阻R3用于调整输出电压的共模点，电阻R3通过电阻R5与第一差分对管M1的漏极相连，电阻R3还通过电阻R4与第二差分对管M2的漏极相连。

进一步的，所述的倒比例管M3为NMOS倒比例管。

本发明的有益效果是：

（1）通过单转双电路，便可同时实现占空比的调节，无需额外增加占空比调节电路，结构简单；

（2）通过精细设置分压电阻R1和分压电阻R2的值，来改变第一差分对管和第二差分对管的共模电平，进而调整输出波形的占空比为50%。

附图说明

图1为本发明的电路原理图；

图2为本发明第一差分对管和第二差分对管的输入波形；

图中，V_X1和V_X2为在不同情况下第二差分对管的输入，V_in为电路的输入信号。

具体实施方式

下面结合附图进一步详细描述本发明的技术方案，但本发明的保护范围不局限于以下所述。

如图1所示，单转双占空比可调电路，它包括第一差分对管M1、第二差分对管M2和一个倒比例管M3，第一差分对管M1的栅极连接输入信号V_in，第一差分对管M1的漏极通过隔直电容C1连接第二差分对管M2的栅极，第二差分对管M2的漏极和第一差分对管M1的漏极为差分输出端，第一差分对管M1的源极和第二差分对管M2的源极均连接电流源。倒比例管M3的栅极连接电源电压VDD，倒比例管M3的漏极与第二差分对管M2的栅极相连，倒比例管M3的源极与由R1、R2组成的分压电路的中点相连。

进一步的，所述第一差分对管M1的漏极和第二差分对管M2的漏极与电源电压VDD之间还设有滤波电容C2，滤波电容C2通过电阻R5与第一差分对管M1的漏极相连，滤波电容C2还通过电阻R4与第二差分对管M2的漏极相连。

进一步的，所述电阻R4和电阻R5的阻值相同，电阻R4和电阻R5用于调整输出电压的摆幅。

进一步的，所述第一差分对管M1的漏极和第二差分对管M2的漏极与电源电压之间还设有电阻R3，电阻R3用于调整输出电压的共模点，电阻R3通过电阻R5与第一差分对管M1的漏极相连，电阻R3还通过电阻R4与第二差分对管M2的漏极相连。

进一步的，所述的倒比例管M3为NMOS倒比例管。