[发明专利]LDMOS及其制造方法

权利要求书

1.一种横向双扩散金属氧化物晶体管LDMOS的制造方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成体区、漂移区、场氧化层、源极、漏极和栅氧化层；

在所述衬底上对所述栅氧化层和场氧化层实施构图工艺，刻蚀掉部分所述栅氧化层以形成厚栅氧化层的图案，同时将位于漏极场板和漂移区之间的部分场氧化层的厚度刻蚀至所述部分场氧化层的厚度沿着接近所述漏极的方向递减；

在所述衬底上形成薄栅氧化层的图案；

在所述衬底上采用构图工艺形成栅极和漏极场板的图案，所述漏极场板与所述漏极电连接，且所述漏极场板在所述部分场氧化层上方连续分布；

在所述衬底上对所述栅氧化层和场氧化层实施构图工艺，刻蚀掉部分所述栅氧化层以形成厚栅氧化层的图案，同时将位于漏极场板和漂移区之间的部分场氧化层的厚度刻蚀至所述部分场氧化层的厚度沿着接近所述漏极的方向递减包括：

在所述衬底上对所述栅氧化层和场氧化层采用湿法腐蚀工艺同时进行刻蚀，将所述源极和漏极上方的栅氧化层刻蚀掉，以形成厚栅氧化层的图案，且将所述部分场氧化层邻近所述漏极的部分刻蚀掉与所述厚栅氧化层相同的厚度，以使位于漏极场板和漂移区之间的所述部分场氧化层的横截面为两层阶梯状。