[发明专利]超平高透高亮一次烧成淋抛熔块及其制备和应用方法

说明书

技术领域

本发明属于陶瓷釉料技术领域，具体涉及一种超平高透高亮一次烧成淋抛熔块及其制备和应用方法。

背景技术

熔块应用于陶瓷釉面主要是为了使烧成后的陶瓷制品获得不同的表面效果。近年来出现了一种地砖抛晶砖，就是利用熔块的透明性形成的一种瓷砖生产工艺，具体是制作低温熔块（始熔点750～900℃），烘干制粉后厚厚(3mm左右)撒在已经装饰成特定花纹效果并烧成后的地砖上，再低温烧成，之后抛光，制成二次烧抛晶干粒砖。抛晶砖平整、光滑、高亮、花纹质感丰富、立体感强，而且由于是釉下彩花纹不易磨损。由于二次烧成本高，开发出能适用一次烧的抛晶熔块，采用一次烧工艺直接烧制陶瓷制品，再抛光，既节省了成本又能使制品达到二次烧抛晶效果，有很大的市场价值。

抛晶干粒是将熔块通过特殊设备进行粉碎后，根据需要进行合理级配得到的一种干粒。

申请号为201110320534.9的中国发明专利申请文件中记载了一种一次烧成抛晶砖用干粒及其应用。该发明干粒由高钾、高钡、高锌三种干粒中的至少一种组成，本发明的干粒始熔温度高，高温粘度小以及良好的颗粒级配既可以保证坯体排气良好，又可以在高温下尽量的排除气泡；使用本发明的抛晶砖用干粒制得的抛晶砖，一次烧成，可以省去高温素烧过程，大大降低了能耗，有效地减少了污染，与二次烧工艺相比可降低生产成本近15%，大大提高了生产效益。生产得到的抛晶砖，釉面透明度高，气泡少。

虽然抛晶干粒所制得的陶瓷制品在档次上是传统淋釉工艺无法相比的，但由于抛晶干粒的生产过程太复杂，所需的管理及设备成本都很高，加上其用量大，导致产品的成本让生产商很难接受。

发明内容

本发明要解决的技术问题是：克服现有技术的不足，提供一种超平高透高亮一次烧成淋抛熔块及其制备和应用方法。在达到抛晶干粒效果的前提下降低生产成本。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：超平高透高亮一次烧成淋抛熔块，所述熔块基于氧化物总重量计的相对重量百分比为：

SiO₂    50～55 %

Al₂O₃    15～20%

K₂O     3 ～ 5%

CaO      9 ～ 13 %

MgO    0 ～ 1 %

B₂O₃     7 ～11%

 ZnO      6 ～ 9 %

其他     0～1%。 

优选的，所述熔块基于氧化物总重量计的相对重量百分比为：

SiO₂     51 ～ 52%

Al₂O₃     17 ～ 18% 

K₂O     3.5 ～4.5%

CaO      10 ～11%

MgO     0.5～ 1 %

B₂O₃      8 ～ 9 %

 ZnO       7 ～ 8 %

其他     0 ～ 1 %。

优选的，存在用作起始材料的下列成分，所述成分基于这些成分的总重量以重量计为：

石英            15 ～ 20 %

高钾低钠长石    30 ～ 43 %

石灰石          12 ～ 17 %

白云石           2 ～  6 % 

氧化锌           5 ～  8 %

硼酸            11 ～ 20 % 

氧化铝           9 ～ 13 % 。   

超平高透高亮一次烧成淋抛熔块的制备方法，包括将所述起始材料加热熔融的步骤，所述的熔融温度为1500 ～ 1700 ℃。

优选的，还包括将所述熔融的原料在所述温度下保温的步骤，保温时间为2～4小时。

优选的，还包括将所述的加热保温后的起始材料进行水淬的步骤，所用的水淬水中添加阻垢剂。

超平高透高亮一次烧成淋抛熔块的应用方法，包括如下工艺步骤：

1）将熔块中加入少量水、高岭土以及解胶剂和粘结剂磨成所需粒度的浆料；