[发明专利]基于光致发光的太阳能晶硅硅片质量预测、控制方法

权利要求书

1.一种基于光致发光的太阳能晶硅硅片质量预测、控制方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤：

（1）进行硅片取样，构建硅片样本库；

（2）使用激光编码器将所取的硅片进行标识；

（3）使用光致发光测试系统对硅片进行测试，记录硅片的缺陷及杂质的程度和硅片其他信息，并使用读码器读取硅片身份信息以对采集的数据进行辨识；

（4）将硅片按生产工艺制作成电池片，测试电池的电学参数；

（5）构建硅片和对应电池相关参数的数据库，建立硅片生产成电池后的电学参数预测模型；

（6）对来料硅片进行抽样；

（7）使用光致发光测试系统对所抽样本进行测试，根据建立的预测模型对硅片生产成电池后的电学参数进行预测，依此对来料硅片的质量进行预测；

（8）按照预测的结果，对来料的硅片的质量进行控制。

2.根据权利要求1所述的基于光致发光的太阳能晶硅硅片质量预测、控制方法，其特征在于：在所述步骤（3）中，所述记录硅片的缺陷及杂质的程度和硅片其他信息为硅片的少数载流子扩散长度、少数载流子寿命、电阻率、厚度、TTV缺陷、杂质、晶界信息、硅片测试温度；使用读码器读取硅片身份信息以对采集的数据进行辨识，是将硅片记录的缺陷及杂质程度和硅片的其他信息与硅片的身份信息对应。

3.根据权利要求1所述的基于光致发光的太阳能晶硅硅片质量预测、控制方法，其特征在于：在所述步骤（5）中，硅片和对应电池相关参数的数据库包括硅片的信息、成品电池的电学参数信息及两者之间的对应关系；电池的电学参数预测模型如下：

f=f(x₁,x₂,…,x_i)

其中，f是电池的某一电学参数，x₁,x₂,...,x_i为硅片的信息；

整个样本库电学参数的预测值和实际值的平均绝对误差，计算公式如下：

Δ=1nΣi|ϵi|]]>

其中，n为硅片的数量，|ε_i|为预测值和实际值的绝对误差，平均绝对误差作为预测模型的评价指标。

4.根据权利要求1所述的基于光致发光的太阳能晶硅硅片质量预测、控制方法，其特征在于：在所述步骤（6）中，对来料硅片进行抽样时，当来料数量在10万以上的批次，抽检的数量须包含10个及以上的晶体编号、箱号或该批次所有的晶体编号。