[发明专利]稀土烧结磁体及其制备方法

权利要求书

1.一种各向异性烧结体形式的稀土烧结磁体，包含作为主相的Nd₂Fe₁₄B晶体相，并具有组成R¹_aT_bM_cSi_dB_e，其中R¹为选自包括Sc和Y的稀土元素中的至少一种元素，T为Fe和Co中的一种或两种，M为选自Al、Cu、Zn、In、P、S、Ti、V、Cr、Mn、Ni、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Pd、Ag、Cd、Sn、Sb、Hf、Ta和W中的至少一种元素，Si为硅，B为硼，表示合金中的原子百分数的″a″到″e″在如下范围内：12≤a≤17、0≤c≤10、0.3≤d≤7、5≤e≤10，余量为b，其中R²为Dy和Tb中的一种或两种，R²从各向异性烧结体的表面扩散进入该各向异性烧结体内。

2.依据权利要求1所述的烧结磁体，其中R¹含有至少80at％的Nd和/或Pr。

3.依据权利求1所述的烧结磁体，其中T含有至少85at％的Fe。

4.一种制备稀土烧结磁体的方法，包括以下步骤：

提供各向异性的烧结体，其包含作为主相的Nd₂Fe₁₄B晶体相，并具有组成R¹_aT_bM_cSi_dB_e，其中R¹为选自包括Sc和Y的稀土元素中的至少一种元素，T为Fe和Co中的一种或两种，M为选自Al、Cu、Zn、In、P、S、Ti、V、Cr、Mn、Ni、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Pd、Ag、Cd、Sn、Sb、Hf、Ta和W中的至少一种元素，Si为硅，B为硼，表示合金中的原子百分数的″a″到″e″在如下范围内：12≤a≤17、0≤c≤10、0.3≤d≤7、5≤e≤10，余量为b，

在各向异性烧结体的表面上设置元素R²或含R²物质，R²为Dy和Tb中的一种或两种，并且

在低于或等于各向异性烧结体的烧结温度的温度下进行扩散热处理，用以使元素R²从烧结体表面扩散进入烧结体内。

5.依据权利要求4所述的方法，其中R¹含有至少80at％的Nd和/或Pr。

6.依据权利要求4所述的方法，其中T含有至少85at％的Fe。

7.依据权利要求4所述的方法，在低于或等于烧结体的烧结温度的温度下热处理用以使元素R²扩散进入烧结体表面内的步骤之后，还包括在较低温度下进行时效处理的步骤。

8.依据权利要求4所述的方法，在各向异性烧结体表面上设置元素R²或含R²物质的步骤包括用选自R²的粉末氧化物、氟化物、氟氧化物或氢化物，R²或含R²合金的粉末，R²或含R²合金的溅射或蒸镀膜，以及R²的氟化物和还原剂的粉末混合物中的成员涂覆烧结体的表面。

9.依据权利要求4所述的方法，在各向异性烧结体表面上设置元素R²或含R²物质的步骤包括使烧结体表面接触R²或含R²合金的蒸气。

10.依据权利要求4所述的方法，其中含R²物质含有至少30at％的R²。