[发明专利]一种金属膜厚度测量方法

权利要求书

1.一种金属膜厚度测量方法，包括：提供一晶片，所述晶片的器件面的依次具有半导体基体、电介质层和金属膜，所述电介质层位于所述金属膜下方，所述金属膜上方垂直放置两根相隔预定距离的探针，所述探针的自由端朝向晶片的器件面，该方法还包括：

向晶片方向移动所述探针，当所述探针的针尖接触到所述金属膜的上表面时，用计数器记录开始时间T1；

所述探针做匀速直线运动插入金属膜，当所述探针的针尖接触到所述电介质层的表面时，所述计数器记录停止时间T2；

将所述匀速直线运动的速度与停止时间T2和开始时间T1之间的差值相乘，得到所述金属膜的厚度。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该方法还包括，在向晶片方向移动所述探针之前，在所述探针之间施加电压。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，当所述探针的针尖接触到所述金属膜的上表面时，所述探针之间出现电流，以所述电流出现的时间作为所述开始时间T1。

4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，当所述探针的针尖接触到所述电介质层的表面时，所述探针之间的电流出现最小值，以所述最小值出现的时间作为所述停止时间T2。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述匀速直线运动的速度范围是1到5毫米每分钟。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述计数器的时间精度控制范围是10^-6到10^-5秒。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属膜的厚度的测量范围在0.01纳米到100纳米。