[发明专利]可调节阈值电压的静态随机存储器晶体管单元制造方法在审
| 申请号： | 201310239351.3 | 申请日： | 2013-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN103337482A | 公开（公告）日： | 2013-10-02 |
| 发明（设计）人： | 任铮 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8244 | 分类号： | H01L21/8244;H01L21/336;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 调节 阈值 电压 静态 随机 存储器 晶体管 单元 制造 方法 | ||
1.一种可调节阈值电压的静态随机存储器晶体管单元制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S01，提供静态随机存储器的晶体管单元，该晶体管单元的衬底上具有多晶硅栅层；
步骤S02，在该晶体管单元上涂布光刻胶层；
步骤S03，图形化该光刻胶层，形成暴露出多晶硅栅层及其周围衬底待环状注入区域的开口，该开口的侧壁是倾斜的，且该开口侧壁与开口底部衬底的待环状注入区域表面的夹角为钝角；
步骤S04，对该开口底部的衬底进行离子环状注入。
2.根据权利要求1所述的可调节阈值电压的静态随机存储器晶体管单元制造方法，其特征在于，步骤S03包括：
步骤S031，将涂布光刻胶层后的衬底置于曝光设备中；
步骤S032，远离最佳曝光位置来对该光刻胶层进行曝光；
步骤S033，对曝光后的光刻胶层进行显影；
步骤S034，对显影后的光刻胶层进行烘烤。
3.根据权利要求2所述的可调节阈值电压的静态随机存储器晶体管单元制造方法，其特征在于：步骤S032包括：调节曝光的焦距或曝光设备成像镜头与晶体管单元表面光刻胶层的距离，使该光刻胶层表面远离曝光设备的最佳聚焦平面来进行曝光。
4.根据权利要求2或3所述的可调节阈值电压的静态随机存储器晶体管单元制造方法，其特征在于：步骤S034包括：调节烘烤的温度，使烘烤温度大于形成垂直侧壁时的烘烤温度来进行烘烤。
5.根据权利要求1所述的可调节阈值电压的静态随机存储器晶体管单元制造方法，其特征在于：该开口侧壁与开口底部衬底的待环状注入区域表面的夹角为90至120°。
6.根据权利要求5所述的可调节阈值电压的静态随机存储器晶体管单元制造方法，其特征在于：该开口侧壁与环状注入方向的夹角为0至15°。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
