[发明专利]多陶瓷层LED封装结构

权利要求书

1.一种多陶瓷层LED封装结构，包括金属基体，其特征在于在所述金属基体上依次形成有耐压陶瓷层和高导热陶瓷层，在所述高导热陶瓷层上形成有金属电路层和荧光陶瓷层；而在所述金属电路层和荧光陶瓷层上设置有LED芯片。

2.根据权利要求1所述的多陶瓷层LED封装结构，其特征在于所述荧光陶瓷层为稀土掺杂的陶瓷层，所述荧光陶瓷层的厚度为10-100 um；并且所述稀土掺杂的陶瓷层为Ce掺杂的YAG层或Eu掺杂的SiN层。

3.根据权利要求1或2所述的多陶瓷层LED封装结构，其特征在于所述高导热陶瓷层的厚度为10-500 um；并且所述高导热陶瓷层为AlN、 AlON或SiN。

4.根据权利要求1或2所述的多陶瓷层LED封装结构，其特征在于所述耐压陶瓷层的厚度为10-500 um；并且所述耐压陶瓷层为Al₂O₃、AlON或SiC。

5.根据权利要求1或2所述的多陶瓷层LED封装结构，其特征在于所述荧光陶瓷层、高导热陶瓷层和耐压陶瓷层通过粉末烧结法形成。

6.根据权利要求1或2所述的多陶瓷层LED封装结构，其特征在于所述金属基板与耐压陶瓷层之间、耐压陶瓷层与高导热陶瓷层之间，以及高导热陶瓷层与荧光陶瓷层之间均通过活性钎焊接合。

7.根据权利要求6所述的多陶瓷层LED封装结构，其特征在于所述活性钎焊使用的钎料含有0.5-0.8wt%的Ag、0.8-1.0 wt%的In、2.1-2.5 wt%的Ti、1.2-1.5 wt%的Si、5.2-7.2 wt%的Sn、2.7-3.2 wt%的Al、0.65-0.95wt%的Mn、1.8-2.1wt%的Ni、0.5-0.7wt%的Ce、0.1-0.2wt%的B和余量的Cu。

8.根据权利要求7所述的多陶瓷层LED封装结构，其特征在于所述活性钎焊使用的钎料通过水雾法制备得到，其制备方法包括以下步骤：（1）将上述配比的金属粉末原料混合并加热熔化形成合金液，利用压力≥40MPa的雾化水对所述合金液进行冷却粉碎处理，形成合金粉末；（2）对所述合金粉末进行干燥和还原退火处理得到所述的钎料，其中还原退火气氛采用氢气退火，退火温度为250-300℃，退火时间为20-30分钟，还原退火后所述稀土预合金粉末中氧含量<2500 ppm。

9.根据权利要求1所述的多陶瓷层LED封装结构，其特征在于所述金属电路层和荧光陶瓷层形成金属和陶瓷杂化层。