[发明专利]用于光学和电子器件的图案化结构基板

说明书

技术领域

本发明属于电子技术领域，更具体的说，本发明涉及一种用于光学和电子器件的图案化结构基板。

背景技术

用于光学和/或电子的器件，如集成电路或者激光二极管均需要利用热传导材料来进行传热。为此需要采用金属基体，如铜基体，并且在所述光学和/或电子的器件与金属基体之间经常需要电隔离。而有些陶瓷材料具有较高的热传导效率并且对电是绝缘的。为此经常在光学和/或电子的器件与金属基体之间使用高导热的陶瓷材料作为用于提供电隔离而又仍然维持热传导性的中间材料。为了提供从光学和/或电子的器件向金属基体的高效传热，在陶瓷与金属基体之间提供良好的热界面是必需的。

而且在越来越多的应用中，需要将多个光学和/或电子器件耦合到具有电隔离和导热的功能结构中。而为了容纳多个光学和/或电子器件，需要使用更大尺寸的基体材料，例如需要使用更大的金属基体以及陶瓷板。然而如果将所述多个光学和/或电子器件耦合到单一界面的陶瓷组件上的时候，则各耦合的光学和/或电子器件之间将会导致热传递困难，而且可能会导致电性传导而发生短路。为此，需要在多个光学和/或电子器件之间提供电隔离和热隔离。

发明内容

为了解决现有技术中的上述技术问题，本发明的目的在于提供一种用于光学和电子器件的图案化结构基板。

为了实现上述目的，本发明采用了以下技术方案：

本发明所述的用于光学和电子器件的图案化结构基板，包括金属基体，在所述金属基体上形成有过渡层，在所述过渡层上形成有功能陶瓷层，并通过掩模对所述功能陶瓷层以及过渡层进行选择性蚀刻形成多个隔离基座；且在所述隔离基座功能陶瓷层上形成金属电路。

其中，所述功能陶瓷层的厚度为10-500 um；所述功能陶瓷层选自氧化硅，氧化铝，氧化锆，氧化钛，氧化锌，钇铝石榴石，氮化铝，氮化硼，氮化硅和碳化硅中的一种或几种。更进一步地，所述功能陶瓷层优选为AlN或AlON，所述功能陶瓷层能够实现横向和径向的热传导，此外还具有优异的耐压性能。

其中，所述功能陶瓷层可以通过溅射、蒸镀、电弧沉积、化学气相沉积或等离子增强化学气相沉积法制备得到。优选通过电弧沉积法制备得到所述功能陶瓷层。

本发明的技术方案相比现有技术具有以下有益效果：

（1）本发明所述的用于光学和电子器件的图案化结构基板，具有更大尺寸的金属基板，并且可以容纳多个光学和/或电子器件，而且所述的多个光学和/或电子器件之间具有良好的电隔离和热隔离。

（2）本发明所述的用于光学和电子器件的图案化结构基板中，所述的高导热陶瓷层的导热率大于50 W/mK, 能够实现径向有效的热传导和转移，解决光学和/或电子部件的散热问题；而且还具有高的耐电压击穿性能。

附图说明

   图1 为本发明所述用于光学和电子器件的图案化结构基板的示意图。

图2 为实施例3所述用于光学和电子器件的图案化结构基板的示意图。

具体实施方式

如附图1所示，本发明所述的用于光学和电子器件的图案化结构基板，包括金属基体10，在所述金属基体上形成有过渡层20，在所述过渡层上形成有功能陶瓷层30，并通过掩模对所述功能陶瓷层以及过渡层进行选择性蚀刻形成多个隔离基座40；且在所述隔离基座功能陶瓷层上形成金属电路（图中未示出）。所述功能陶瓷层的厚度为10-500 um；所述功能陶瓷层选自氧化硅，氧化铝，氧化锆，氧化钛，氧化锌，钇铝石榴石，氮化铝，氮化硼，氮化硅和碳化硅中的一种或几种。并且优选为AlN或AlON；所述功能陶瓷层可以通过溅射、蒸镀、电弧沉积、化学气相沉积或等离子增强化学气相沉积法制备得到。优选通过电弧沉积法制备得到所述功能陶瓷层。

实施例1