[发明专利]具有在超过特定离子线性能量传递（LET）值时自动去活的集成电路

权利要求书

1.一种集成电路，其包括：

至少一个感测电路，其响应于暴露于在预定线性能量传递水平即预定LET水平的所述集成电路的离子辐射而仅仅对单个事件锁定SEL敏感；

暴露检测电路，其可操作以感测所述至少一个感测电路中特定且预定LET的离子引起的单个事件锁定SEL条件的出现，并响应所述至少一个感测电路中的所述单个事件锁定SEL条件的检测而提供输出信号；和

去活电路，其接收来自所述暴露检测电路的所述输出信号，并可操作以响应所述暴露检测电路的输出信号而选择性地禁用所述集成电路的用户电路的操作，

其中所述感测电路被配置为通过调整衬底的抽头密度、所述暴露检测电路的温度、衬底电阻、衬底掺杂或其任何组合来检测特定水平的离子线性能量传递即离子LET。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述用户电路具有第一抽头密度，其中所述至少一个感测电路具有第二抽头密度，并且其中所述第一抽头密度是所述第二抽头密度的至少两倍。

3.根据权利要求2所述的集成电路，其中所述第一抽头密度是所述第二抽头密度的至少8倍。

4.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述至少一个感测电路的阱电阻或衬底电阻大于所述用户电路的相应的阱电阻或衬底电阻。

5.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述至少一个感测电路由电源电压供电，所述电源电压高于对所述用户电路中的相应电路施加的电压。

6.根据权利要求1所述的集成电路，包括至少一个加热元件，其可被操作以在所述集成电路的操作期间对所述至少一个感测电路的至少部分加热。

7.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述至少一个感测电路包含感测存储器电路。

8.根据权利要求7所述的集成电路，其中所述暴露检测电路可操作以感测所述至少一个感测存储器电路的电源电流，并且响应于感测的电源电流大于或等于预定的阈值而提供指示单个事件锁定条件的检测的所述输出信号。

9.根据权利要求8所述的集成电路，其中所述暴露检测电路包括：

电流感测器，其提供表示所述至少一个感测存储器电路的电源电流的感测器信号；

提供基准信号的基准；以及

比较器电路，其包括：

连接以接收来自所述基准的所述基准信号的第一输入终端，

连接以接收来自所述电流感测器的所述感测器信号的第二输入终端，以及

响应于所述感测器信号大于或等于所述基准信号而提供所述输出信号的输出。

10.根据权利要求7所述的集成电路，其中所述暴露检测电路包括与所述感测存储器电路联接的控制器，所述控制器可操作以将测试数据写入所述感测存储器电路，从所述感测存储器电路读取数据以比较写入的测试数据与从所述感测存储器读取的数据，以及基于写入的测试数据和从所述感测存储器读取的数据的比较，选择性地提供指示所述至少一个感测电路中的单个事件锁定条件的检测的所述输出信号。

11.根据权利要求10所述的集成电路，其中所述控制器可操作以当从所述感测存储器读取的数据不同于所述写入的测试数据时，提供指示所述至少一个感测电路中的单个事件锁定条件的检测的所述输出信号。

12.根据权利要求10所述的集成电路，其中所述控制器可操作以响应于与所述感测存储器的重复写入/读取测试相关的位误差率的改变的检测，提供指示所述至少一个感测电路中的单个事件锁定条件的检测的所述输出信号。