[发明专利]显示装置及其制造方法

权利要求书

1.一种显示装置，具有：在透明基板上形成的栅电极、覆盖所述栅电极的栅极绝缘膜、在所述栅极绝缘膜上形成的氧化物半导体、夹着所述氧化物半导体的沟道区域并且分离地形成的漏电极以及源电极、覆盖所述漏电极以及源电极的层间电容膜、在所述层间电容膜上形成的公共电极、以及与所述公共电极相对地形成并与所述源电极连接的像素电极，其特征在于，

在所述氧化物半导体与所述漏电极以及源电极之间，形成覆盖所述沟道区域的蚀刻阻止层，

所述漏电极是透明导电膜和金属膜层叠而成的层叠膜，

所述漏电极以及源电极与所述氧化物半导体直接接触。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，

在俯视观察时观察到所述氧化物半导体的全部与所述栅电极重叠，

所述源电极以及所述像素电极由同一透明导电膜一体地形成。

3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，

所述源电极是透明导电膜和金属膜层叠而成的层叠膜，

所述像素电极由构成所述源电极的所述金属膜形成，

所述源电极和所述像素电极连续地形成。

4.一种显示装置，具有：在透明基板上形成的栅电极、覆盖所述栅电极的栅极绝缘膜、在所述栅极绝缘膜上形成的氧化物半导体、夹着所述氧化物半导体的沟道区域并且分离地形成的漏电极以及源电极、覆盖所述漏电极以及源电极的保护绝缘膜、与所述源电极连接的下部电极、在所述下部电极上形成的有机EL元件、以及覆盖所述有机EL元件地形成的上部电极，其特征在于，

在所述氧化物半导体与所述漏电极以及源电极之间，形成覆盖所述沟道区域的蚀刻阻止层，

所述漏电极是透明导电膜和金属膜层叠而成的层叠膜，

所述漏电极以及源电极与所述氧化物半导体直接接触。

5.根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于，

所述源电极是透明导电膜和金属膜层叠而成的层叠膜，

所述下部电极由构成所述源电极的所述金属膜形成，

所述源电极和所述下部电极连续地形成，

所述上部电极由透明导电膜形成。

6.根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于，

所述源电极以及所述下部电极由同一透明导电膜一体地形成，

所述上部电极由金属膜形成。

7.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，

形成所述源电极以及漏电极的所述透明导电膜的厚度为10nm以上且100nm以下。

8.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，

所述蚀刻阻止层的垂直方向上的截面形状具有锥形状，该锥形状的锥角为10度以上且75度以下。

9.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，

所述蚀刻阻止层的高度为50nm以上且500nm以下。

10.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，

所述氧化物半导体至少包含ZnO、InGaZnO、ZnInO和ZnSnO中的任一方。

11.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，

所述透明导电膜由氧化铟锡和氧化铟锌中的任一方形成。

12.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，

所述金属膜包含Mo、Cr、W、Al、Cu、Ti、Ni、Ta、Ag中的任一方。

13.一种显示装置的制造方法，其特征在于，包括：

在基板上形成栅电极的工序；

覆盖所述栅电极地形成栅极绝缘膜的工序；

在所述栅极绝缘膜上形成氧化物半导体的工序；

形成覆盖所述氧化物半导体的沟道区域的蚀刻阻止层的工序；

以与所述氧化物半导体直接接触并在所述蚀刻阻止层上分离的方式，形成透明导电膜来形成漏电极、源电极以及像素电极的工序；

在所述漏电极上进一步形成金属膜并使漏电极层叠化的工序；

形成覆盖所述漏电极以及源电极的层间电容膜的工序；以及

在所述层间电容膜上形成透明导电膜来形成公共电极的工序。

14.根据权利要求13所述的显示装置的制造方法，其特征在于，

在将使所述漏电极成膜化的工序时所形成的所述金属膜通过湿式蚀刻来形成的情况下，在进行了用于使形成所述漏电极以及源电极的透明导电膜结晶化的退火处理之后进行所述湿式蚀刻，

在通过干式蚀刻来形成所述金属膜的情况下，不进行所述退火处理。