[发明专利]加强结构以及用于控制安装在衬底上的芯片翘曲的方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底；

安装在所述衬底上的管芯；

接合至所述管芯的加强板，所述加强板包括中心区域和外围区域；以及

将所述加强板连接至所述管芯的粘合层；

其中，所述加强板，具有邻近所述加强板的角部的用于接纳所述粘合层的至少一个凹口以将所述粘合层限制在所述管芯的外围区域，在所述加强板的中心区域和具有所述凹口的外围区域，所述粘合层与所述加强板直接接触。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述衬底是柔性衬底。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述加强板包括玻璃。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述加强板包括金属。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述金属是铜或不锈钢。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述加强板包括陶瓷。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述加强板具有50μm至250μm的厚度。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述加强板是层压板。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述粘合层包括胶粘剂或胶带。

10.一种半导体器件，包括：

衬底；

安装在所述衬底上的管芯；

接合至所述衬底的加强板以减少和/或阻止所述管芯和所述衬底之间的热膨胀系数错配导致的翘曲；以及

将所述加强板连接至所述衬底的粘合层。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述加强板包括玻璃、金属或陶瓷。

12.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述加强板具有50μm至250μm的厚度。

13.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述粘合层包括胶粘剂或胶带。

14.一种封装半导体器件的方法，包括：

将管芯接合至衬底；以及

通过粘合层将加强板接合至所述管芯，所述加强板包括中心区域和外围区域；

其中，将所述粘合层接合至邻近所述加强板的角部的凹口，所述加强板具有用于接纳所述粘合层的至少一个凹口以将所述粘合层限制在所述管芯的外围区域，在所述加强板的中心区域和具有所述凹口的外围区域，所述粘合层与所述加强板直接接触。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，通过热接合工艺或粘合工艺将所述加强板接合至所述管芯。

16.根据权利要求14所述的方法，其中，所述粘合层是选自由胶粘剂、胶带和它们的组合所组成的组的材料。

17.根据权利要求14所述的方法，其中，所述粘合层选自UV胶带。

18.根据权利要求14所述的方法，其中，所述粘合层选自光学透明UV胶带。

19.根据权利要求14所述的方法，其中，所述粘合层接合至邻近所述加强板的相应角部的多个凹口。

20.根据权利要求14所述的方法，其中，所述加强板由选自由硼硅酸盐玻璃、铝硅酸盐玻璃、碱性钡硅酸盐玻璃或者石英所组成的组的材料形成。