[发明专利]半导体制程装置

说明书

技术领域

本发明是有关于一种制程装置，尤其是有关于一种适用于进行光电半导体之快速升降温制程的半导体制程装置。

背景技术

现阶段，快速热工艺(Rapid Thermal Processing)已应用于许多半导体的制程上，例如快速热氧化(Rapid Thermal Oxidation)、快速热化学气相沉积(Rapid Thermal CVD)，快速热退火(Rapid Thermal Annealing)等，由此可知，快速热工艺对于半导体制程已相当地重要。

在半导体制程中，热量主要靠辐射传至晶圆上，因此，现在的半导体制程装置在制程腔体的上方及下方皆设有加热灯管，以达到晶圆均匀加热的目的。但此种半导体制程装置并不能针对晶圆的特定位置加热，且结构也较为复杂，无法节省成本。

再者，现在的半导体装程装置在加热后，晶圆的热量会通过辐射或对流的方式散发，但因制程腔体的材质为石英，不易使制程腔体的热散失，因此，造成降温的速度慢，且对于晶圆在热处理时的温度均匀性较不稳定，容易影响晶粒的质量及良率。

发明内容

鉴于上述状况，有必要提供一种可用于光电半导体的快速升降温制程的半导体制程装置。

一种半导体制程装置，适用于进行光电半导体的快速升降温制程，所述半导体制程装置包括制程腔体及至少一个加热源，所述制程腔体包括散热底板以及配置于所述散热底板上且与所述散热底板直接接触的环状金属侧壁，所述至少一个加热源配置于所述制程腔体内。

根据本发明的一个实施例，所述制程腔体还包括导流板，所述导流板具有多个导流孔，且所述导流板设置于所述至少一个加热源上方。

根据本发明的一个实施例，所述半导体制程装置还包括载盘，且所述环状金属侧壁具有一抽取口，所述载盘适于经由所述抽取口进出所述制程腔体。

根据本发明的一个实施例，所述导流板的材料为石英、金属或陶瓷。

根据本发明的一个实施例，所述环状金属侧壁包括多个板体，所述多个板体可拆卸地组合于彼此而成为所述环状金属侧壁。

根据本发明的一个实施例，所述至少一个加热源包括多个灯管，所述多个灯管具有不同的输出功率。

根据本发明的一个实施例，所述散热底板的材质为金属或陶瓷。

根据本发明的一个实施例，所述散热底板包括板体和冷却管路，所述板体具有位于相对两侧的第一表面及第二表面，所述环状金属侧壁位于所述第一表面上；所述冷却管路设置于所述板体的第二表面。

根据本发明的一个实施例，所述散热底板具有多条冷却通道。

根据本发明的一个实施例，所述散热板具有第一表面、第二表面以及散热孔，所述第一表面与所述第二表面位于相对两侧，所述散热孔连通所述第一表面与所述第二表面，所述环状金属侧壁位于所述第一表面上。

根据本发明的一个实施例，所述半导体制程装置还包括隔绝板，所述隔绝板设置于所述加热源及所述环状金属侧壁之间。

本发明的半导体制程装置仅于制程腔体上方设置加热源，以对制程腔体内部的物体进行单向加热。而且，制程腔体是直接与导热率佳的散热底板接触，因此在完成加热制程后，可加速制程腔体内的物体降温速度，以缩短降温时间。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1A是本发明第一实施例的半导体制程装置的立体示意图。

图1B是图1A的半导体制程装置的分解示意图。

图2A是本发明第一实施例的散热底板的立体图。

图2B是本发明另一实施例的散热底板的立体图。

图3是本发明第二实施例的半导体制程装置的分解示意图。

图4是本发明第三实施例的半导体制程装置的分解示意图。

具体实施方式