[发明专利]一种IGBT状态检测电路

权利要求书

1.一种IGBT状态检测电路，其特征在于包括：

输入高压保护电路（1），其正、负输入端分别与IGBT的集电极（IGBT-C）、发射极（IGBT-E）连接，所述输入高压保护电路（1）的正输入端与正输出端之间设置有第一二极管（D1），所述第一二极管（D1）的负极与IGBT的集电极（IGBT-C）连接；

IGBT的C、E电压检测电路（2），其输入端与输入高压保护电路（1）输出端连接，用于输入高压保护电路（1）的电压转换及输出；

故障驱动报警电路（3），其输入端通过一三极管与IGBT的C、E电压检测电路（2）的输出端连接，用于响应IGBT的状态信号及故障报警与输出。

2.根据权利要求1所述的一种IGBT状态检测电路，其特征在于：所述IGBT的C、E电压检测电路（2）包括：一端与第一二极管（D1）的正极连接的第一电阻（R1）；与第一电阻（R1）另一端连接的第二电阻（R2）和第三电阻（R3）；负极与第三电阻（R3）上远离第一电阻（R1）的一端连接的稳压管（ZD2）；均连接在稳压管（ZD2）正极与IGBT发射极（IGBT-E）之间的第三二极管（D3）、第一电容（C1）、第四电阻（R4）；其中，第二电阻（R2）接输入电压，第三二极管（D3）的正极与IGBT发射极（IGBT-E）连接。

3.根据权利要求2所述的一种IGBT状态检测电路，其特征在于：所述故障驱动报警电路（3）包括：第一三极管（Q1），其基极和发射极分别连接稳压管（ZD2）正极、IGBT发射极（IGBT-E）；光耦芯片（U15），包括LED和光控三极管，所述LED负极与第一三极管（Q1）集电极连接，所述LED正极通过第五电阻（R5）接输入电压，所述光控三极管发射极接地且其集电极与发射极之间连接有第二电容（C2），其集电极还通过第六电阻（R6）接电源输入端（VCC），其集电极还作为IGBT状态信号输出端（IGBT－ERR）。

4.根据权利要求３所述的一种IGBT状态检测电路，其特征在于：所述光耦芯片（U15）的型号为TLP521-1。